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全球第5大半导体封测厂力成 减DRAM产能

(2012-2-25 15:26:39)  2156人次浏览
 
     全球第5大半导体封测厂力成 减DRAM产能

  核心提示:前阵子收购国内二线封测龙头厂超丰的力成,已成为全球第5大半导体封测厂,其今(9)日召开法说,公布营运报告去年Q4营收约为97亿,每股税后盈余(EPS)为1.7元,2011总营收达395亿,整体毛利率为23%,全年EPS达8元。
  前阵子收购国内二线封测龙头厂超丰的力成,已成为全球第5大半导体封测厂,其今(9)日召开法说,公布营运报告去年Q4营收约为97亿,每股税后盈余(EPS)为1.7元,2011总营收达395亿,整体毛利率为23%,全年EPS达8元。
  从其业务组合来看,力成目前测试业务占比为37%,封装业务为63%,而从产品组合来看,去年Q4的DRAM就占了68%,Flash为30%,逻辑IC为2%。值得注意的是,董事长蔡笃恭表示,「未来会逐步降低DRAM比重,不希望再继续扩充产能」。预计到今年Q2,DRAM就会降至50%,Flash和逻辑IC分别会拉升至30%及20%。
  事实上,目前如国外一线DRAM大厂早已将标准型DRAM比重降低至50%以下,以减少标准型记忆体价格下跌的冲击,同时并转进毛利较高的行动式记忆体(mobileDRAM)及伺服器用记忆体,蔡笃恭说到了Q3,供需应该会达到平衡,「但现阶段mobileDRAM生意仍然很好」。
  另外,外界关心的3DIC先进封装部分,蔡笃恭指出,「目前进展都非常顺利,甚至未来投入这块的研发费用会增加更多」,近期还花了5000~6000万美金在竹科园区设立试验工厂,明年就会有显著的小量产出。
  3DIC是把许多块分散的DRAM像豆腐干那样,一层层堆叠起来,之后再和CPU黏在一起,变成在平板电脑里只会看到一颗相当小的尺寸,适合轻巧追求速度的智慧型手机和平板电脑使用,不过这种高阶封装进入门槛极高,封测厂需使用TSV直通矽晶穿孔(Through-SiliconVia)技术来使晶片或晶圆进行垂直堆叠。
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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