| 场效应管的基础知识 |
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| (2006-7-30 10:30:46) 34829人次浏览 |
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英文名称：MOSFET（简写：MOS）
中文名称：功率场效应晶体管（简称：场效应管）
场效应晶体管简称场效应管，它是由半导体材料构成的。
与普通双极型相比，场效应管具有很多特点。
场效应管是一种单极型半导体
（内部只有一种载流子—多子）
分四类：
N沟通增强型；P沟通增强型；
N沟通耗尽型；P沟通耗尽型。
增强型MOS管的特性曲线
场效应管有四个电极，栅极G、漏极D、源极S和衬底B，
通常字内部将衬底B与源极S相连。
这样，场效应管在外型上是一个三端电路元件场效管是一种
压控电流源器件，即流入的漏极电流ID栅源电压UGS控制。
1、转移特性曲线：应注意：
① 转移特性曲线反映控制电压VGS与电流ID之间的关系。
② 当VGS很小时，ID基本为零，管子截止；
当VGS大于某一个电压VTN时ID随VGS的变化而变化，VTN称为开启电压，约为2V。
③ 无论是在VGS
2、输出特性曲线：输出特性是在给顶VGS的条件下，ID与VDS之间的关系。可分三个区域。
① 夹断区：VGS
② 可变电阻区：VGS>VTN且VDS值较小。VGS值越大，则曲线越陡，D、S极之间的等效电阻RDS值就越小。
③ 恒流区：VGS>VTN且VDS值较大。这时ID只取于VGS，而与VDS无关。
3、MOS管开关条件和特点：
管型状态，N-MOS，P-MOS 特点
截止 VGS VTN，RDS非常大，相当与开关断开
导通 VGS≥VTN，VGS≤VTN，RON很小，相当于开关闭合
4、MOS场效应管的主要参数
① 直流参数
a、开启电压VTN，当VGS>UTN时，增强型NMOS管通道。
b、输入电阻RGS，一般RGS值为109～1012Ω高值
② 极限参数
最大漏极电流IDSM击穿电压V(RB)GS，V(RB)DS
最大允许耗散功率PDSM
5、场效应的电极判别
用R×1K挡，将黑表笔接管子的一个电极，用红表笔分别接另外两个电极，如两次测得的结果阻值都很小，则黑表笔所接的电极就是栅极(G)，另外两极为源(S)、漏(D)极，而且是N型沟场效应管。
在测量过程中，如出现阻值相差太大，可改换电极再测量，直到出现两阻值都很大或都小为止。
如果是P沟道场效应管，则将表笔改为红表笔，重复上述方法测量。
6、结型场效应管的性能测量
将万用表拨在R×1K或R×10K挡上，测P型沟道时，将红表笔接源极或漏极，黑表笔接栅极，测出的电阻值应很大，交换表笔测时，阻值应该很小，表明管子是好的。
当栅极与源极间=栅极与漏极间均无反向电阻时，表明管子已坏了。
将两只表笔分别接漏极和源极，然后用手靠近或碰触栅极，此时表针偏转较大，说明管子是好的。
偏转角度越大，说明其放大倍数也越大。如果表针不动，则表明管子坏了或性能不好。
相关阅读：有关场效应管的封装介绍→浏览下载；场效应管的基础知识→浏览下载
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