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场效应管的基础知识

(2006-7-30 10:30:46)  32768人次浏览
 
     英文名称:MOSFET(简写:MOS)
  中文名称:功率场效应晶体管(简称:场效应管)
  场效应晶体管简称场效应管,它是由半导体材料构成的。
  与普通双极型相比,场效应管具有很多特点。
  场效应管是一种单极型半导体
  (内部只有一种载流子—多子)
  分四类:
  N沟通增强型;P沟通增强型;
  N沟通耗尽型;P沟通耗尽型。

  增强型MOS管的特性曲线
  场效应管有四个电极,栅极G、漏极D、源极S和衬底B,
  通常字内部将衬底B与源极S相连。
  这样,场效应管在外型上是一个三端电路元件场效管是一种
  压控电流源器件,即流入的漏极电流ID栅源电压UGS控制。

  1、转移特性曲线:应注意:
  ① 转移特性曲线反映控制电压VGS与电流ID之间的关系。
  ② 当VGS很小时,ID基本为零,管子截止;
    当VGS大于某一个电压VTN时ID随VGS的变化而变化,VTN称为开启电压,约为2V。
  ③ 无论是在VGS

  2、输出特性曲线:输出特性是在给顶VGS的条件下,ID与VDS之间的关系。可分三个区域。
  ① 夹断区:VGS
  ② 可变电阻区:VGS>VTN且VDS值较小。VGS值越大,则曲线越陡,D、S极之间的等效电阻RDS值就越小。
  ③ 恒流区:VGS>VTN且VDS值较大。这时ID只取于VGS,而与VDS无关。

  3、MOS管开关条件和特点:
  管型状态,N-MOS,P-MOS 特点
  截止 VGS VTN,RDS非常大,相当与开关断开
  导通 VGS≥VTN,VGS≤VTN,RON很小,相当于开关闭合

  4、MOS场效应管的主要参数
  ① 直流参数
  a、开启电压VTN,当VGS>UTN时,增强型NMOS管通道。
  b、输入电阻RGS,一般RGS值为109~1012Ω高值

  ② 极限参数
  最大漏极电流IDSM击穿电压V(RB)GS,V(RB)DS
  最大允许耗散功率PDSM

  5、场效应的电极判别
  用R×1K挡,将黑表笔接管子的一个电极,用红表笔分别接另外两个电极,如两次测得的结果阻值都很小,则黑表笔所接的电极就是栅极(G),另外两极为源(S)、漏(D)极,而且是N型沟场效应管。
  在测量过程中,如出现阻值相差太大,可改换电极再测量,直到出现两阻值都很大或都小为止。
  如果是P沟道场效应管,则将表笔改为红表笔,重复上述方法测量。

  6、结型场效应管的性能测量
  将万用表拨在R×1K或R×10K挡上,测P型沟道时,将红表笔接源极或漏极,黑表笔接栅极,测出的电阻值应很大,交换表笔测时,阻值应该很小,表明管子是好的。
  当栅极与源极间=栅极与漏极间均无反向电阻时,表明管子已坏了。
  将两只表笔分别接漏极和源极,然后用手靠近或碰触栅极,此时表针偏转较大,说明管子是好的。
  偏转角度越大,说明其放大倍数也越大。如果表针不动,则表明管子坏了或性能不好。
  相关阅读:有关场效应管的封装介绍→浏览下载;场效应管的基础知识→浏览下载
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