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Vishay推出的新款对称双通道MOSFET

(2023-2-1 17:15:47)  4159人次浏览
 
     可大幅节省系统面积并简化设计,节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6×5F封装减少63%,有助于减少元器件数量并简化设计。日前,Vishay推出两款新型30V对称双通道N沟道场效应管:SiZF5300DT、SiZF5302DT,适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并简化设计。可用来取代两个PowerPAK-1212封装分立器件,节省50%基板空间,同时占位面积比PowerPAIR 6×5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点(POL)转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中,SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果,特别是在1A到4A电流条件下。而SiZF5300DT则是12A到15A重载的理想解决方案。

  SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30V-Gen-V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT在10V和4.5V下典型导通电阻分别为2.02mΩ和2.93mΩ,SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7mΩ和4.4mΩ。两款MOSFET在4.5V条件下典型栅极电荷分别为9.5nC和6.7nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM),比相似导通电阻的前代解决方案低35%。高频开关应用效率提高2%,100W能效达到98%。
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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