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Vishay推出的新款60V-MOSFET

(2019-8-22 9:22:11)  168人次浏览
 
    Vishay推出的新款60V-MOSFET
是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET:SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10V条件下最大导通电阻降至4mW,采用热增强型3.3mm×3.3mm PowerPAK 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。
  Vishay推出的新款60V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件
  与逻辑电平60V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6mm×5mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。
  SiSS22DN改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多电源管理系统构件可实现更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。
  MOSFET经过100% RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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