资讯首页 >> 产业分析 >> 详细内容

2013年,本土IC设计产业进入青春期

(2013-10-12 12:49:21)  1144人次浏览
 
     【文章插图看大图→浏览下载
  由电子工程专辑举行的2013年中国IC设计公司调查与颁奖已经在9月初于上海揭晓。首先要恭喜所有获奖的公司、团队和个人。此项活动的颁奖每年秋天都会举行一次,调查结果的分享像是在给业界一个年度总结,而颁奖典礼则是电子工程专辑回报产业,为不断进步的中国IC设计公司提供一些精神上的鼓励。
  在今年的调查结果中显示,中国IC产业设计能力不断提升:其中,24%的回复公司在数字IC设计中,采用先进45纳米及以下工艺技术,与2012年的12%相比翻了一倍;相对于数字IC,模拟IC在工艺选择上则比较保守,今年有30%回复公司在产品的设计上采用0.13微米及以下的工艺,这一数字较去年略高出3个百分点。
  《电子工程专辑》出版人石博廉(Brandon Smith)先生表示:“中国IC设计产业已走出萌芽状态,进入青春期。我们的调查结果显示,在本土IC设计公司中,已成立5至10年的占40%,10年以上的亦占34%。如今,中国已是全球第三大芯片设计中心,2012销售额达到621.68亿元人民币。IC设计领域一直是中国半导体产业增长最快速的领域,其在全行业所占的比重逐年提升”。
  过去我们认为,中国IC设计产业处于萌芽期,幼年期。但在今年的调查结果出来后,我们认为本土IC设计产业已经正式进入青春期。这一观点,由在颁奖活动现场的业界大佬圆桌论坛上由本刊总分析师Yorbe Zhang提出,同时也获得了众多嘉宾的认可。
  图文:奖杯和奖牌代表着本刊读者对成长获奖本土IC设计公司的认可。
  中国半导体行业协会IC设计分会理事长魏少军教授“青春斯”的表示基本准确。他指出,目前中国半导体行业的制造、设计和封测三个环节,与国外先进水平还有一定的差距,但是差距最大的是封装,平均差距是6年,制造相差两年半,而设计的差距最小,大概有10到12个月。
  而另一位嘉宾ARM 大中华区总裁吴雄昂则也表示认可,同时他还指出在某些IC设计的领域,已经是“青年期”。“在SoC、AP和高端处理器领域,中国IC设计业已经进入青春期。进入青春期就意味著有更多的资本去折腾。我认为,趁着现在折腾得起,要赶快多折腾。像华为海思这样的企业,就更加成熟,他们的某些IC的设计已经处在世界领先的水平”。
  在这些企业进入青春期以后,应该是更多地减少对“父母”的依赖,在市场上寻找机会自食其力。事实上,目前中国IC设计公司能够“自食其力”的企业已经越来越多,并且独立生存的能力也越来越强。中国芯在通信IC、消费类芯片、工业、医疗、汽车电子和测试测量领域都有建树。
  与去年相比,有更多的本土IC设计公司选择进入消费电子。相比去年的50%的高比例,今年的调查显示更是高达60%的公司目标市场是消费电子。这既说明中国IC设计公司紧贴中国的市场,同时也侧面反应出越来越多的IC设计企业选择在“脱离父母”支持的市场领域求得生机。
  另外一点印证是本土IC采用的制程工艺数据。调查数据显示,24%的回复公司在数字IC设计中,采用先进45纳米及以下工艺技术,与2012年的12%相比翻了一倍。这些IC的代工制造,既可以在台湾晶圆厂商在实现,也可以选择在中芯国际等国内代工厂来完成。对先进工艺的选择,既反印了本土IC设计公司的实际设计能力水平,也还反印出本土IC设计公司在市场上的真实竞争实力。
  当然,本土IC设计公司也还有很多缺点,例如在自有IP上的不足导致产品的市场同质化竞争,模拟IC的工艺设计与制造进步缓慢等问题。如果实现解决眼下生存问题与企业长远发展问题的矛盾,恐怕是处于青春期的中国IC设计业者们要共同面对的新问题。
--------------------------------------------------
 免责声明:文章摘自网络、本网站不承担其内容的真实性与准确性、仅供读者参考,并请自行核实相关内容
产品推广:可控硅-晶闸管→浏览下载 MOS-场效应管→浏览下载 2013年主打产品型号与参数选型→浏览下载
--------------------------------------------------
来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
相关资讯
·这些中国“芯”力量将改变产业格局 (12-13)
·超级电容行业或将迎来新拐点 (5-24)
·新能源汽车爆发式增长背后:动力电池谁胜出? (5-24)
·做VR,中国缺什么? (1-26)
·半导体产业有望迅速崛起 (9-30)
·中国想要什么样的芯片产业? (6-5)

 
最新资讯
暂无资讯

热门资讯
·2024主打产品目录选型
·MCR8SN 高灵敏度单向可控硅
·Richtek-台湾立琦科技
·双向可控硅的命名
·有关ST,PHILIPS等公司无
·C106D-HC106D-单向可
·Z0405MF-双向可控硅
·BTA41-1200B特制高压双
·BT136S-600D贴片双向可
·可控硅元件的符号说明
·MCR22-8 单向可控硅
·可控硅元件的电压说明
·场效应管的基础知识
·BT137S-600E贴片双向可
·三象限与四象限有何区别?
·怎样判别二极管的极性
·BT151S-500R贴片可控硅
·BTA100-1200B
·X0605MA全新原装ST产品
·BT136-600E 全新供应
·ASE-台湾日月光半导体
·Micron-镁光科技
·单向可控硅的命名
·40A三端双向可控硅电压可提升至
·可控硅的应用原则
·BT138X-600F全塑封可控
·Mikron-俄罗斯芯片厂商-米
·世界上通用的可控硅型号
·BT136S-600E SMD
·参加阿里巴巴竞价历史记录

Copyright ©2003-  KKG.com.cn  Tel:(86)-755-27832599278324992995508029955090FAX: 27801767

 浩海电子 可控硅 二极管 三极管 三极管 单向可控硅 双向可控硅
技术支持:爱学海iXueHai.cn 粤ICP备10237964号-1 中国企业官网大联盟 

访问统计: