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韩国SK海力士半导体

(2013-5-14 17:37:08)  3010人次浏览
 
     SK海力士半导体公司
  SK Hynix Semiconductor Inc.,
  谚文:SK하이닉스,KSE:000660
  是一家韩国的电子公司,全球二十大半导体厂商之一。
  海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。
  在80及90年代 他们专注于销售DRAM,后来是SDRAM。
  2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务,
  同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。
  2012年初,韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。
  2004~2005年一个调查显示出1999~2002年期间有一个共谋破坏竞争与提高个人电脑价格的全球性DRAM价格操控。结果导致三星电子需缴付3亿美元罚金,英飞凌于2004年缴付1亿6000万美元罚金,海力士于2005年缴付1亿8500万美元罚金。美光因与检察官合作而不需缴交罚金。

  全球二十大半导体厂商
  成立时间:1983年2月
  员工:约24300人(包括海外子公司)

  没有半导体的IT产品是不能存在的,固半导体产品的性能将决定IT产品的性能。SK Hynix公司成立于1983年,公司已以生产和提供像电脑和移动产品等IT设备必需的D - RAM和 NAND闪存为主力产品的企业。
  在国内1984年最初生产16Kb SRAM以来,持续提供世界最初,最小,最高速,最低电压的内存半导体。
  占世界第二大内存芯片,同时在世界上最大的半导体市场中国D-RAM部门第一位的。SK Hynix公司不仅在韩国,也在世界 IT产业,占主导地位。

  SK 海力士,前身为1983年成立的现代电子产业株式会社,1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年从现代集团分离出来,更名为(株)海力士半导体。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。
  SK 海力士致力于生产以DRAM、NAND Flash & CIS非存储器为主的半导体产品。目前在韩国有1条8英寸晶圆生产线和2条12英寸生产线,在中国无锡有一条12英寸生产线。
  SK 海力士是世界第二大DRAM制造商,并于2007年成长为世界第六大半导体企业。目前在世界各地设有销售法人和办事处。
  SK 海力士稳固地立足于以DRAM和闪存为主的半导体存储器领域,通过产品种类多样化,包括涉足CIS商业领域等策略,正逐步成长为综合性的半导体设备供应商。

  产品介绍:
  NAND Flash
  SK 海力士将NAND Flash技术应用于多种存储设备,例如Mp3播放器、PMP、数码相机、便携式摄像机、存储卡、USB闪存盘、游戏控制器、导航仪乃至手机等大部分电子产品。
  同时,PC或者笔记本电脑的启动缓存、动态硬盘、混合电路驱动器等也正出现在NAND Flash的新的应用领域,而SK 海力士正在开发能够满足这种趋势的产品。

  DRAM 
  08年11月,SK 海力士发表了世界上最快的1Gb GDDR5 Graphics DRAM。
  新发表的1Gb GDDR5是以SK 海力士的最尖端54nm处理技术为基础所开发的产品。1Gb GDDR5 实现了7Gbps的速度或28GB/s的处理量,较5Gbps的66nm GDDR5改善了40%,与此同时,1Gb GDDR5利用1.35V的观点装置,在设计上将耗电量降到最低。
  本产品在高性能应用程序非常理想,还有用于要求更出色的图形性能及质量的高性能PC及下一代游戏控制器,将为消费者提供更加丰富的乐趣。
  SK 海力士还支援高性能及主流市场用GDDR3、DDR3、DDR2产品。
  SK 海力士的DDR3 SDRAM属于高性能,低耗电量产品。DDR3 SDRAM能够以最大1.6Gb/s的速度传送数据,运行电压为1.5V。
  目前,SK 海力士提供具有1Gb及2Gb集成度高的高性能DDR3,正准备推出4Gb产品。 

  厂房介绍:
  SK海力士半导体(中国)有限公司是在江苏无锡新区出口加工区落户的世界一流的生产半导体存储器的外商独资公司,它占地面积54.1万平方米,建筑面积39.1万平方米,其主要产品为12英寸集成电路晶圆。
  SK 海力士现有建筑楼有管理办公楼、生产大楼(12英寸)生产车间、废水处理厂、资材仓库、员工食堂以及位于公司斜对面的员工宿舍和文化中心等。

  公司历程
  1983-02:创立现代电子株式会社
  1996-12:公司股票上市
  1999-10:合并LG半导体,成立现代半导体株式会社
  2001-03:公司更名为(株)海力士半导体
  2001-08:完成与现代集团的最终剥离
  2003-04:宣布与STMicroelectronics公司签定合作生产NAND闪存的协议
  2003-12:宣布与茂德科技签署长期的战略性MOU
  2004-07:获得公司成立以来最大的季度销售利润
  2005-07:提前终止企业重组完善协议
  2006-10:完全建成海力士-意法半导体
  2007-04:在韩国Cheongju动土建造300mm fab
  2007-03:任命Jong-Kap Kim作为新会长及执行总裁
  2007-12:成功发行约6亿美元大规模海外债券
  2008-05:宣布与台湾茂德科技签订全面合作合约
  2008-08:cheongju300mm专用第3工场竣工
  2009-02:世界顶尖44纳米DDR3 DRAM开发
  2010-06:中国海太半导体封装测试项目竣工
  2010-07:2010年第二季度经营目标达成
  2011-06:30nm级量产技术升级(4期投资)
  2011-07:模组生产
  2012-02:SK电讯收购海力士

  SK海力士半导体官方网站
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