资讯首页 >> 新品上市 >> 详细内容

东芝推出新款80V-N沟道功率MOSFET

(2020-3-31 12:34:19)  425人次浏览
 
     【文章插图看大图→浏览下载
  东芝推出采用其最新一代工艺的80V-N沟道功率MOSFET
  2020年3月30日,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V-N沟道功率MOSFET:TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
  新增产品包括采用表面贴装SOP-Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON-Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。
  由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS、Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V、U-MOS、X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性之间的平衡也得到了进一步的改善。因此,新产品可提供业界最低功耗。东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。

  应用:
  开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)
  电机控制设备(电机驱动等)

  特性:
  业界最低功耗(通过改善导通电阻与栅极电荷特性之间的平衡)
  业界最低导通电阻:
  Rds(on)=2.43mΩ(最大值)@Vgs=10V(TPH2R40QM)
  Rds(on)=19mΩ(最大值)@gs=10V(TPN19008QM)
  高额定通道温度:Tch=175℃
  【TPH2R408QM详细参数PDF下载→浏览下载】  【TPN19008QM详细参数PDF下载→浏览下载
-------------------------------------------------
 【TEL:0755-29955080、27832499      本月推广:主打产品型号目录与参数选型→浏览下载
-------------------------------------------------
来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
相关资讯
·Nexperia推出超微型MOSFET (4-23)
·Sensata发布新型低噪声固态继电器 (4-21)
·TOREX新推P沟道MOSFET (4-21)
·东芝推出新款80V-N沟道功率MOSFET (3-31)
·Vishay推出新型汽车光耦 (3-31)
·英飞凌推出OptiMOS稳压IC (3-31)

 
最新资讯
暂无资讯

热门资讯
·著名半导体厂家网址
·MCR8SN 高灵敏度单向可控硅
·有关ST,PHILIPS等公司无
·双向可控硅的命名
·BTA41-1200B特制高压双
·可控硅元件的符号说明
·BT136S-600D贴片双向可
·可控硅元件的电压说明
·Richtek-台湾立琦科技
·C106D-HC106D-单向可
·Z0405MF-双向可控硅
·场效应管的基础知识
·BT137S-600E贴片双向可
·MCR22-8 单向可控硅
·怎样判别二极管的极性
·三象限与四象限有何区别?
·BT151S-500R贴片可控硅
·X0605MA全新原装ST产品
·BT136-600E 全新供应
·BTA100-1200B
·BT138X-600F全塑封可控
·40A三端双向可控硅电压可提升至
·单向可控硅的命名
·可控硅的应用原则
·BT136S-600E SMD
·世界上通用的可控硅型号
·参加阿里巴巴竞价历史记录
·可控硅的工作原理
·关于可控硅元件-关于公司产品
·如何鉴别可控硅的三个极性?

Copyright ©2003-  KKG.com.cn  Tel:(86)-755-27832599278324992995508029955090FAX: 27801767

 浩海电子 可控硅 二极管 三极管 三极管 单向可控硅 双向可控硅
技术支持:中采网 IC160.com 粤ICP备10237964号-1

访问统计: