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东芝推出内置保护光耦IC

(2020-3-27 16:22:24)  425人次浏览
 
     东芝面向中大电流IGBT/MOSFET推出内置保护功能的光耦
  【文章插图看大图→浏览下载
  2020年3月10日,日本东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能,其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。
  新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBT和MOSFET。
  目前现有产品需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器,仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流,有助于降低功耗。
  通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求,从而简化设计。
  其他功能包括:在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”;另外,除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外,还有UVLO检测,将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品不具备的新特性,能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。

  应用:
  IGBT与功率MOSFET栅极驱动(预驱动)
  交流电机和直流无刷电机控制
  工业逆变器与不间断电源(UPS)
  光伏(PV)电源调节系统

  特性:
  内置有源时序控制的双输出,适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。
  当检测到过流时,通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。
  当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时,故障信号会输出到一次侧。
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 【TEL:0755-29955080、27832499      本月推广:主打产品型号目录与参数选型→浏览下载
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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