| ST推出双面散热汽车级MOSFET |
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| (2017-6-6 15:37:09) 5386人次浏览 |
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ST推出5×6mm双面散热微型封装汽车级功率MOSFET管
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管，可用于汽车电机控制、电池极性接反保护和高性能功率开关。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5×6 DSC封装保留了标准封装的尺寸和高散热效率的底部设计，同时将顶部的源极曝露在外面，以进一步提升散热效率，这样设计让内部芯片有更高的额定输出电流，提高功率密度，让设计人员能够研发更小的电控单元，而无需在功能、性能和可靠性之间做出取舍。
新产品STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG的最大漏极电流120A，最大导通电阻分别为1.5mΩ和3.0mΩ，保证高能效，简化系统热管理。此外，总栅电荷分别为172nC和91nC，器件本身电容很低，有助于在高速开关时提高能效。
这两款40V的MOSFET器件是意法半导体一个新产品家族的首批产品，采用意法半导体的STripFET-F6技术和槽栅结构，额定电流和电压范围宽广，适用于汽车产品。新MOSFET可以用于极其恶劣的工作环境，包括最高175℃的发动机舱。这些产品100%经过雪崩额定值测试，其封装的可润湿侧翼引线可实现最佳焊接效果，100%支持自动光学检查。
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG通过AEC-Q101认证，即日上市。此外，该产品家族今年还将推出STripFET F7产品。
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