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安森美全新充电器方案快速充电3.0

(2015-9-30 11:40:11)  1535人次浏览
 
     安森美全新充电器方案相容高通快速充电3.0
  2015年9月22日,推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出实现新的高通快速充电3.0协议的参考设计。新协议较现有快速充电2.0方案显著提升能效。这高能效、小型的参考设计,支持高通用于智能手机和平板电脑的下一代快速充电技术——快速充电3.0高压专用充电端口(HVDCP)A类和B类规格,并向后兼容旧的快速充电2.0协议。高通快速充电3.0技术是高通子公司高通科技的产品。安森美半导体推出完整参考设计并符合UL认证,有助于便携式应用的小型充电器的快速发展,提供领先业界的高能效。
  这参考设计的亮点是新的NCP4371次级端充电控制器,支持充电器USB总线电压根据手机或便携式设备的需求而变化。为优化电池充电时间,USB总线电压可在3.6 V-20 V以分立步骤控制。这新的充电控制器也适用于A4WP无线充电应用,电压可基于参考设计的发射(TX)部分进行优化。
  NCP4371也无需次级并联稳压器,就能实现一个充电器设计,节省了成本和所需空间。初级端控制器是安森美半导体的NCP1361 PSR准谐振PWM控制器,同步整流控制器是NCP4305。这两种控制器的结合成就高能效充电器的设计,符合欧盟能效标准(CoC Tier-2)要求。
  安森美半导体AC-DC电源转换部总监Shane Chilton说:“快速充电能力正迅速获得所有便携式设备厂商的认可。我们很高兴能就下一代电源方案与高通合作,这配合我们致力为客户提供创新高能效方案的策略”。
  封装和定价:NCP4371采用SOIC-8封装,每10Kpcs批量的单价为0.18美元

  安森美半导体(ON Semiconductor),推出实现新的高通快速充电3.0协议的参考设计。
  新协议的效能较现有快速充电2.0方案显着提升。
  高能效、小型的参考设计,支援高通用于智慧手机和平板电脑的下一代快速充电技术:
  快速充电3.0高压专用充电埠(HVDCP)A类和B类规格,并兼容旧的快速充电2.0协议。
  高通快速充电3.0技术是高通子公司高通科技的产品。安森美半导体推出完整参考设计并符合UL认证,有助于可携式应用的小型充电器的快速发展,提供领先业界的高效能。
  这参考设计的亮点是新的NCP4371次级端充电控制器,支援充电器USB总线电压根据手机或可携式设备的需求而变化。为优化电池充电时间,USB总线电压可在3.6V~20V以分立步骤控制。这新的充电控制器也适用于A4WP无线充电应用,电压可基于参考设计的发射(TX)部分进行优化。
  NCP4371也无需次级并联稳压器就能完成一个充电器设计,节省了成本和所需空间。初级端控制器是安森美半导体的NCP1361 PSR准谐振PWM控制器,同步整流控制器是NCP4305。这两种控制器的结合成就高能效充电器的设计,符合欧盟能效标准(CoC Tier-2)要求。
  安森美半导体AC-DC电源转换部总监Shane Chilton说:“快速充电能力正迅速获得所有便?式设备厂商的认可。我们很高兴能就下一代电源方案与高通合作,这符合我们致力为客户提供创新高效能方案的策略”。

  安森美半导体的参考设计实现了高通的快速充电3.0协议进行快速充电的智能手机和平板电脑。它采用M-LVDS驱动器/接收器的车辆前部灯具,辅以稳压器和低RDS(on)功率MOSFET,解释了公司。
  它还说,一个完整的参考设计和认证,符合UL的可用性有助于小尺寸充电器,便携式应用的快速发展。
  参考设计突出NCP4371二次侧充电控制器,它允许根据从电话或便携式设备请求所述充电器的USB总线电压被改变。要优化电池充电时间,在USB总线电压可在不连续的步骤,从3.6控制高达20V。也适用于在A4WP无线充电的​​应用中可以将电压根据参考设计的发送部分优化使用充电控制器。
  该控制器还省去了一个次级并联稳压器节省成本和空间的一个充电器的设计。初级侧控制器是NCP1361 PSR准谐振PWM控制器和同步整流控制器是NCP4305。据该公司介绍,该组合实现了高效率设计会议大会二线要求充电器
  该NCP4371是采用SOIC-8封装。  【NCP4371技术参数下载】→浏览下载
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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