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ST新推出650V的IGBT

(2015-7-28 17:29:36)  1358人次浏览
 
     ST新推出650V的IGBT,大幅提升20kHz功率转换能效
  意法半导体(STMicroelectronics,ST)推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷且经济实惠的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC)马达驱动器、不间断电源、太阳能转换器以及所有硬开关(hard-switching)电路拓扑20kHz功率转换应用。
  采用意法半导体的第三代沟槽式场截止型(trench-gate field-stop)低损耗制程,M系列IGBT拥有一个全新沟槽/通道闸(trench gate)和特殊设计的P-N-P垂直结构,能在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平衡点,从而最大幅地提升电晶体的整体性能。
  在150℃初始接面温度时,最小短路耐受时间为6μs,175℃最大工作接面温度及宽安全工作范围有助于延长元件的使用寿命,同时提升对功率耗损有极高要求的应用可靠性。
  此外,新产品封装亦整合了新一代稳流二极体(Free-wheeling Diode)。
  新款二极管提供快速恢复功能,并同时保持低正向电压降及高软度。
  此项设计不仅可实现优异的EMI保护功能,还能有效降低开关损耗。
  正VCE(sat)温度系数结合紧密的参数分布,使新产品能够安全平行,并满足更大功率的要求。
  M系列产品的主要特性:
  650V IGBT,大部分的竞争产品都是600V;
  低VCE(sat)(1.55V@25℃)电压,能够最大幅度地降低导通损耗;
  出色的稳健性,拥有广泛的宽安全工作范围以及无锁定效应;
  业界最佳的Etot-Vce(sat)平衡比;
  175℃最大工作接面温度;
  高温下的短路耐受时间最短6us;
  电压过冲非常有限,确保关机期间零振荡。
  最新发布的M系列拥有10A及30A两种可选额定电流,提供各种功率封装选择,包括TO-220、D2PAK和
TO-247 LL长针脚封装,与意法半导体针对高频工业应用所研发的HB系列650V IGBT(高达60kHz)相互补足。
  新产品已开始量产。  欲了解更多详情,请点击访问→浏览下载
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 【更多资讯关注微信公众号:SZHHE-COM     本月推广:主打产品型号目录与参数选型→浏览下载
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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