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英飞凌12寸薄晶圆技术车用功率MOSFET进入量产

(2015-6-2 14:18:03)  881人次浏览
 
     英飞凌率先采用12英寸薄晶圆工艺
  批量生产新一代汽车功率场效应管
  英飞凌(Infineon)为首家以12寸薄晶圆技术制造车用功率金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)的厂商。首款OptiMOS 5 40V产品系列针对减碳排放的应用进行最佳化,由英飞凌位于奥地利菲拉赫(Villach)的晶圆厂制造。
  英飞凌12寸薄晶圆技术是提升新一代汽车功率MOSFET产品效能的关键。薄晶圆技术能够将功率耗损降到最低,更能达成MOSFET的微型设计,提升高系统效率和功率密度。12寸薄晶圆的厚度仅60微米(0.06mm),让采用该技术的OptiMOS 5功率半导体成为最薄的产品。注:一张标准书写纸的厚度约为110微米(0.11mm)
  由于12寸晶圆的直径比标准 8寸晶圆长50%,因此每片12寸晶圆所生产的晶片数可达后者的2.5倍。英飞凌OptiMOS 5薄晶圆产品组合的首款产品为40V版本,采用S308封装(TSDSON-8),尺寸仅3.3×3.3毫米(mm)。
  与前一代OptiMOS 相较,OptiMOS 5 40V产品减少40%的导通电阻(RDS(on)),同时更大幅降低功率损耗。除此之外,此代产品的优值系数 RDS(on)×Qg减少35%,因此能最佳化切换特性。因此,OptiMOS 5 40V产品具有高功率密度和能源效率,支援多种汽车BLDC和H型桥式驱动应用,如电动窗、车门控制、天窗、燃油帮浦,以及阀门控制和快速切换DC/DC转换器。

  英飞凌开始使用300mm晶圆量产车载功率半导体
  【日经BP社报道】德国英飞凌科技公司开始应用直径为300mm的晶圆量产汽车用功率半导体。该公司称,这是全球首次将300mm晶圆用于车载功率半导体。
  IGBT和功率MOSFET等功率半导体元件(功率元件)一般利用直径为150mm~200mm的硅晶圆制造。300mm产品对于功率半导体来说属于大直径。晶圆的直径越大,则生产效率越高。据英飞凌介绍,与利用200mm晶圆时相比,利用300mm晶圆可获得的芯片数约为前者的2.5倍。
  英飞凌领先于其他竞争公司,率先在功率元件的量产中应用了300mm晶圆。第一款产品为采用超结构造的功率MOSFET。此次也是该公司首次在车载功率元件产品中应用300mm晶圆,产品在奥地利的菲拉赫工厂制造。
  此次新采用300mm晶圆的,是“OptiMOS 5”系列的40V耐压产品。该产品采用安装面积为3.3mm见方的“TSDSON-8”封装,设想用于驱动电动车窗、门控、天窗以及燃料泵等的车用无刷DC马达。
  新产品还有一个特点,那就是使用了300mm晶圆中较薄的产品,厚度为60μm。
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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