| 安森美拓展中压N型通道MOSFET产品阵容 |
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| (2015-5-26 12:20:53) 2124人次浏览 |
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安森美半导体（ON Semiconductor）针对资讯网路、电信和工业应用推出新的高能效单N型通道功率金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）系列，进一步扩大其产品阵容。
这些元件能提供低传导电阻RDS(on)值，从而将传导损耗降至最低并提升整体工作效能。它们还有低至2164皮法（pF）的门极电容（Ciss），以确保尽可能保持低驱动损耗。
安森美半导体新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT和NTMFS5C442NLT MOSFET额定击穿电压为40V，最大导通电阻值（Vgs为10V时）分别为0.74mΩ、0.9mΩ和2.8mΩ，连续漏电流分别为352A、315A和127A。
与这些器件相辅相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和NTMFS5C646NL，额定击穿电压60V，最高导通电阻分别为1.2mΩ、1.5mΩ和4.7mΩ，而相关的连续漏电流为287A、235A和93A。
40V和60V的这两种器件的额定工作结温都高达175℃，从而为工程师的设计提供更大的热余裕。安森美半导体将推出采用更多的电阻值和不同的封装，如micro8FL、DPAK和TO220来扩大此产品线。
安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说：“OEM的工程团队不断致力于创建更高能效的电力系统设计，同时占用更少用板空间。我们新加的器件扩大了我们广泛的功率MOSFET产品阵容，为客户提供高性能的器件，采用紧凑的、高热能效的封装，帮助他们达到更高能效的设计目标”。
封装和定价
NTMFS5C404NL、NTMFS5C410NL、NTMFS5C442NL、NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和NTMFS5C646NL都采用紧凑的、符合RoHS的SO8FL（DFN-8）封装，每10000片批量的单价从0.42美元起。
与这些元件相辅相成的NTMFS5C604NL，NTMFS5C612NL和NTMFS5C646NL，额定击穿电压60V，最高导通电阻分别为1.2mΩ、1.5mΩ和4.7mΩ，而相关的连续漏电流为287A、235A和93A。
40V和60V的这两种器件的额定工作接面温度都高达175℃，从而为工程师的设计提供更大的热余裕。
安森美半导体将推出采用更多的电阻值和不同的封装，如micro8FL、DPAK和TO220来扩大此产品线。
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