| Vishay新推N-MOS:SiA466EDJ |
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| (2015-3-5 16:07:48) 2001人次浏览 |
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Vishay最新推出20V N沟道
Trench FET功率MOSFET：SiA466EDJ
可显著提高便携式电子产品的功率密度和可靠性
Vishay推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET：SiA466EDJ。
Vishay Siliconix SiA466EDJ的占位面积为2mm×2mm，具有业内最高的封装限制电流，可使便携式电子产品实现更高的功率密度和可靠性。它同时也是业内唯一具有±20V的额定VGS，提供集成ESD保护功能的此类器件。
SiA466EDJ的25A封装限制电流比最接近的器件高13%。
在负载开关应用里，高额定电流为大涌入电流和短路等故障情况提供了额外的安全裕量。
MOSFET集成ESD保护功能，保护能力达到2500V，能防止因触摸或人体接触而导致的静电破坏。
今天推出的器件是多用途的电源管理解决方案，可用于便携式电子产品。
器件具有大电流和出色的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数（FOM），
适用于无线和快速电池充电器、智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电子锁里面的同步降压转换器和负载开关。
为提高高频开关应用里的效率，
SiA466EDJ在10V、6V和4.5V下的导通电阻分别为9.5mΩ、11.1mΩ和13.0mΩ，
可减少导通损耗，典型栅极电荷为6.3nC，栅极电阻为0.9Ω，使开关损耗最小化。
MOSFET经过了100%的RG测试，符合RoHS，无卤素。
SiA466EDJ现可提供样品，并已实现量产，大批量订单供货周期为十三周。
SiA466EDJ产品参数规格书官网下载→浏览下载
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