| ST推出新款碳化硅MOS管:SCT20N120 |
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| (2015-2-11 14:19:14) 2641人次浏览 |
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ST最新推出1200V碳化硅功率MOS管：SCT20N120
中国，2015年2月10日，意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）
推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。
意法半导体推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。
意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一，并始终致力于技术的研发与升级。
这次推出的1200VSCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，
具有小于290mΩ的通态电阻（RDS(ON)）及高达200℃的最大工作结温等诸多特性优势；
其高度稳定的关断电能（Eoff）和栅电荷（Qg）可使开关性能在整个工作温度范围内表现始终如一。
最终的低导通损耗和开关损耗配合超低泄漏电流，将有助于简化热管理设计，并最大限度地提高可靠性。
除更低的电能损耗外，意法半导体的碳化硅MOSFET的开关频率也同样出色，较同等级的硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）高出三倍，这让设计人员能够使用更小的外部元器件，进而降低产品尺寸、重量以及材料成本。
SCT20N120的耐高温性可大幅度简化电源模块、电动汽车等应用的散热系统（cooling-system）设计。
SCT20N120采用意法半导体独有的HiP247™封装，其更高的热效率可使管子在最大工作温度高达200℃时，依然能够维持与TO-247工业标准功率封装外观兼容，SCT20N120目前已开始量产。
SCT20N120目前已开始量产，详情点击浏览→浏览下载 SCT20N120产品规格参数下载→浏览下载
关于意法半导体
意法半导体（STMicroelectronics；ST）是全球领先的半导体解决方案供应商，为客户提供传感器、功率器件、汽车产品和嵌入式处理器解决方案。从能源管理和节能技术，到数字信任和数据安全，从医疗健身设备，到智能消费电子，从家电、汽车，到办公设备，从工作到娱乐，意法半导体的微电子器件无所不在，在丰富人们的生活方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活（life.augmented）的理念。意法半导体2014年净收入74.0亿美元。详情请访问ST公司网站http://www.st.com
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