| 东芝推出1200V耐压碳化硅肖特基二极管 |
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| (2015-2-9 13:04:22) 2353人次浏览 |
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东芝推出1200V耐压SiC肖特基势垒二极管，用于工业设备等
东芝于2015年1月27日推出了耐压高达+1200V、采用SiC（碳化硅）材料制造的肖特基势垒二极管“TRS20J120C”。
该公司介绍称，“通过采用SiC材料，可将采用Si（硅）材料时最高只有+200V的肖特基势垒二极管的耐压提高到+1200V”。
新产品可以用于交流（AC）400V的高压线等。
关于具体用途：
东芝列举了开关电源的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器、光伏发电用逆变器装置、不间断电源（UPS）以及车用无线供电装置等。
TRS20J120C的元件构造并非普通的肖特基势垒二极管（SBD）的构造，而是采用了结势垒肖特基（JBS）构造。
没有直接接合金属和N沟道半导体，而是经由P沟道半导体将二者接合。
东芝介绍说，“与SBD构造相比，采用JBS构造可削减漏电流，因此在高压和大电流条件下也能稳定工作”。
新产品的反向重复峰值电压（VRRM）为+1200V。最大正向电流（IF）在直流（DC）时为20A，脉冲时为310A。
电流平方时间积（I2t）为112.5A2s。峰值正向电压（VFM）为1.7V（正向电流为20A时的最大值）。
反向重复峰值电流（IRRM）为90μA（最大值）。结电容为 105pF（标称值）。
封装采用TO-3P(N)。最高结温可保证+175℃。目前价格未公布。
TRS20J120C采用TO-3PN（SC-65）封装。官网下载TRS20J120C参数规格书(英文版)→浏览下载
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