| 东芝推出60V耐压车用MOS |
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| (2015-2-9 13:02:37) 1663人次浏览 |
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东芝推出导通电阻仅为18.5mΩ的60V耐压车用功率MOSFET
东芝推出了导通电阻仅为18.5mΩ（栅源间电压为+10V时的最大值）的耐压为+60V的功率MOSFET“TK25S06N1L”。
新产品为N沟道产品，采用TO-252（DPAK+）封装
外形尺寸为：6.5mm×5.5mm×2.3mm（不包括引脚）
该公司介绍称，“在同样的产品中，新产品实现了业界顶级的低导通电阻特性”。
新产品还计划获得车用分立元件质量标准“AEC-Q101”认证。
该产品主要用于车载设备的电机驱动电路、发动机控制单元（ECU）、LED前灯的驱动以及车载用DC-DC转换器等。
TK25S06N1L采用东芝独有的“U-MOSVIII-H”工艺技术制造，
最大连续漏极电流为25A、最大脉冲漏极电流为50A，内置栅源间的齐纳二极管。
该产品将开关噪声控制在较低水平，因此可以降低电磁噪声（EMI）。
该产品可利用+4.5V的逻辑信号进行驱动，工作接合部温度最大为+175℃。
目前价格尚未公布。 TK25S06N1L官网发布新闻→浏览下载
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