资讯首页 >> 新品上市 >> 详细内容

英飞凌推出全新高功率模块平台-IGBT

(2014-12-18 13:58:18)  1577人次浏览
 
     【文章插图看大图→浏览下载
  12月17日,英飞凌科技股份有限公司宣布推出两款全新功率模块平台,用以提升1200V至6.5KV电压级别的高压IGBT的性能。
  为使新模块的优点得到更广泛应用,英飞凌将向所有IGBT功率模块生产商提供免授权费许可。
  使用该平台概念的首批产品将包括3.3KV(450A)、4.5KV(400A)和6.5KV(275A)等电压等级,并采用全新的100mm×140mm×40mm封装设计尺寸。
  新模块将于2015年5月19日至21日在德国纽伦堡举办的PCIM展期间亮相,同时低电压等级的封装正在开发中。
  高性能可靠的IGBT模块是工业和牵引驱动、风能和光伏、长距离输电等应用的关键技术。
  历经30年开发,芯片技术已发展到能让IGBT满足越来越高的能效和工作温度要求,而且逐渐小型化,可靠性不断提高,成本降低,而仅基于对标准封装技术的有限改进。
  但面对越来越苛刻和恶劣的应用环境,这种方法已到达极限,使得高功率模块封装技术的改进成为性能持续改善的关键因素。
  英飞凌开发的新模块平台符合当前的高功率密度、高能效、长生命周期和高坚固性等新系统要求。此灵活概念允许将相同部件并联,因此使得直流母线端子和电容器的结构更为简化。
  交流端子可只通过一个汇流排直接并联。这一新型模块的灵活性和可扩展性极大地简化了系统设计,能够让开发人员缩短产品从设计到投放市场的所需时间。
  全新高功率模块采用最新的封装技术,有助于减少系统总成本和确保设计的未来适用性。
  英飞凌科技股份有限公司工业功率控制部高功率产品总监Markus Hermwille表示:“考虑到IGBT技术正面临着越来越多的挑战,我们非常高兴能够推出一种满足当前和可预见未来的工业需求封装技术。我们十分肯定的是,这种全新模块封装将为所有要求苛刻的高功率应用带来极大益处。我们的目标是通过供应全新高功率平台来构建广泛和可靠的基础,这就是我们邀请业界采用这种设计的原因”。
  供货:采用此全新封装设计的第一批产品为3.3kV模块,将于2015年5月开始供应样品;2016年下半年开始量产。更多关于此全新高功率平台的信息,请访问→浏览下载
--------------------------------------------------
  【致力于中国功率器件优秀供应商!      本月推广:主打产品型号目录与参数选型→浏览下载
--------------------------------------------------
来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
相关资讯
·Nexperia推出超微型MOSFET (4-23)
·Sensata发布新型低噪声固态继电器 (4-21)
·TOREX新推P沟道MOSFET (4-21)
·东芝推出新款80V-N沟道功率MOSFET (3-31)
·Vishay推出新型汽车光耦 (3-31)
·英飞凌推出OptiMOS稳压IC (3-31)

 
最新资讯
暂无资讯

热门资讯
·著名半导体厂家网址
·MCR8SN 高灵敏度单向可控硅
·Richtek-台湾立琦科技
·有关ST,PHILIPS等公司无
·双向可控硅的命名
·C106D-HC106D-单向可
·BTA41-1200B特制高压双
·Z0405MF-双向可控硅
·BT136S-600D贴片双向可
·可控硅元件的符号说明
·可控硅元件的电压说明
·MCR22-8 单向可控硅
·场效应管的基础知识
·BT137S-600E贴片双向可
·三象限与四象限有何区别?
·怎样判别二极管的极性
·BT151S-500R贴片可控硅
·BTA100-1200B
·X0605MA全新原装ST产品
·BT136-600E 全新供应
·Micron-镁光科技
·ASE-台湾日月光半导体
·单向可控硅的命名
·40A三端双向可控硅电压可提升至
·BT138X-600F全塑封可控
·可控硅的应用原则
·世界上通用的可控硅型号
·BT136S-600E SMD
·Mikron-俄罗斯芯片厂商-米
·参加阿里巴巴竞价历史记录

Copyright ©2003-  KKG.com.cn  Tel:(86)-755-27832599278324992995508029955090FAX: 27801767

 浩海电子 可控硅 二极管 三极管 三极管 单向可控硅 双向可控硅
技术支持:爱学海iXueHai.cn 粤ICP备10237964号-1 中国企业官网大联盟 

访问统计: