IR最新推出1200V Gen8 IGBT系列 |
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(2014-12-4 14:14:31) 1871人次浏览 |
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IR推出1200V Gen8 IGBT系列 【文章插图看大图→浏览下载】
2014年11月18日,全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新一代绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术平台。
全新第八代(Gen8)1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
IR推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。
全新第八代(Gen8)1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值,加上1.7V典型VCE(ON)和10?s短路额定值,能够减少功耗,有效增加功率密度并带来卓越的耐用性。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台,彰显其数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达实现百分百变频,从而更有效地使用电能,并且绿化环境”。
新技术为电机驱动应用提供更理想的软关断功能,通过尽量降低dv/dt来减少电磁干扰和过压情况,有助于提升可靠性及耐用性。该平台的参数分布狭窄,在进行多个IGBT并联时便可带来出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热阻,还可达到175℃的最高结温。
潘大伟指出:“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越的技术。该IGBT平台凭借顶尖的VCE(ON)、卓越的耐用性及顶级的开关功能,使工业市场所面临的难题迎刃而解”。
产品供应:IR Gen8 1200V IGBT平台的样本已开始提供给各大原始设备制造商(OEM)及原始设计制造商(ODM)合作伙伴。 【相关阅读:IR-国际整流器公司】→浏览下载
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