| ST新650V超接面MOSFET提升安全系数 |
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| (2014-12-4 14:10:39) 1820人次浏览 |
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意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求，同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项。
MDmesh M2系列产品拥有先进的超接面技术，具有比上一代产品更低的导通电阻（RDS(ON)），以及更低的闸极电荷（QGD）和输入/输出电容（Ciss/Coss）。
此外，这些产品更进一步降低了能源消耗和热散逸（heat dissipation），让开发人员能够更快地设计出更高效的产品。同时，与市场现有的600V典型产品相比，意法半导体的新产品将崩溃电压提高至650V，确保新产品具有更高的安全系数，让设备厂商能够设计更稳固且更可靠的系统。新系列产品还增加了一款采用表面黏着封装的Power FLAT 5×6 HV高电压产品，虽然封装面积和厚度都很小，但却拥有极佳的热性能和电流处理能力。
预计于2015年第一季投入量产的Power FLAT 5×6 HV产品可大幅提高功率密度，协助设备厂商研发尺寸更小的下一代产品，而在实现高输出功率的同时，不会影响工作可靠性。
MDmesh M2 MOSFET的目标应用包括笔记型电脑、印表机和游戏机等设备的外接电源，以及电视机和音响系统的内部电源。3W～25W单管LED灯引擎以及大功率多管LED灯引擎驱动器也将受益于新产品的热效率与热性能。PowerFLAT 5×6 HV封装适用于太阳能微逆变器，为尺寸精巧的家用和商用逆变器模组带来MDmesh M2产品的能效优势。22 MDmesh M2 650V MOSFET现已上市，最大额定电流范围为4A至11A，最低导通电阻RDS(ON)降至0.360Ω。 STD6N65M2采用D2PAK（TO-263）封装。 【相关阅读：ST-意法半导体】→浏览下载
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