| 东芝推出汽车用N沟道MOSFET |
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| (2014-11-4 16:30:40) 1651人次浏览 |
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东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器
东芝旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。
新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路，与东芝的传统产品相比，工作电压更低，为VDD(opr)=5至18V。出货即日起启动。
新产品主要规格
1、BiCD 0.13μm工艺
2、供电电压：VDD(opr)=5至18V
3、内置过流保护功能
4、内置过流诊断功能
5、输出电压
VOUT=VDD+8V(最低值)@VDD=5V，IOUT=-100μA，Tj=-40℃至125℃
VOUT=VDD+10V(最低值)@VDD=8至18V，IOUT=-100μA，Tj=-40℃至125℃
6、小型封装
PS-8 (2.8mm×2.9mm)
应用
适用于汽车应用，驱动12V蓄电池所使用的高边N沟道MOSFET，包括用于怠速停止系统和电动助力转向系统(EPS)的半导体继电器和半导体负载开关。
【相关阅读：TPD7104F参数下载】→浏览下载
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