| ST推出新款H系列1200V绝缘型IGBT |
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| (2014-7-10 13:28:30) 1715人次浏览 |
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意法半导体推出先进的1200V绝缘栅双极晶体管
可实现更长的使用寿命、节省更多能源
日前，意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors）借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正（PFC, Power-Factor Correction）转换器等应用的能效和耐用性。
意法半导体的新H系列1200V IGBT将关断损耗和导通损耗降低多达15%
饱和电压(Vce(sat))减低至2.1V（在标准集极电流和100℃下的典型值），这能确保总体损耗降至最低，在20kHz开关频率下更高效地工作。此外，新款1200V IGBT提供集成高速恢复反并联二极管的选项，以助力开发人员优化硬开关电路的性能，使用续流二极管大幅降低开关电路的能源损耗。
新款IGBT的耐用性极强，当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应，短路时间极短，仅5μs(在150℃初始结温时)。
最大工作结温扩大到175℃，有助于延长产品的使用寿命，简单化系统散热设计。
宽安全工作区（SOA，Safe Operating Area）提升大功率应用的工作可靠性。
优异的防电磁干扰（EMI，electromagnetic interference）是新产品的另一大优点
这归功于新系列产品在开关过程中取得近乎理想的波形，令竞争产品望尘莫及。
Vce(sat)的正温度系数，结合器件之间参数分布紧密，使其在大功率应用中实现更安全的并行工作。
意法半导体的H系列IGBT现已量产
采用TO-247封装，有15A、25A和40A三个型号 （详情请浏览ST官网→浏览下载）
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