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安森美半导体推出高速网络应用硅锗芯片

(2014-7-2 11:37:16)  2291人次浏览
 
     安森美半导体计划推出先进硅锗(SiGe)芯片系列,以满足网络设备制造商对设计OC-192 、100亿位以太网(10-GbE)及更高速网络产品的高性能要求。
  安森美半导体全新的GigaComm系列硅锗芯片符合OC-192及10-GbE (100亿位以太网)网络速度的先进性能要求,能以每秒12 Gbps的高速度传输数据,较现有产品快3倍。
  安森美半导体副总裁兼宽带业务总经理Frans van Wijk 说:“市场上有多种技术可以提高芯片传输速度,安森美半导体产品的高速度和可靠性可为客户提供领先业界的卓越性能,又不会影响信号的完整性”。
  安森美半导体的宽带芯片能降低抖动和歪曲率,因而将网络的可用带宽提升至最高水平。
  该公司将在2001年第二季度推出首批硅锗芯片,并在年内较后时间陆续推出多个其它芯片。
  Gartner Dataquest的首席分析家Jeremey Donovan说:“当我们走出目前的经济低潮时,OC-3和OC-12将多被淘汰,OC-48和OC-192将成为未来大型网络建设的主流。这种转变将促进OC-768的普及。对于那些已经开始采用非硅材料如硅锗的半导体供应商而言,将从这种转变中获益最多”。
  安森美半导体在全球设有9个工厂和12个设计中心。
  在中国,安森美半导体在北京(服务于华北)、上海(华东)、成都(华西)和深圳(华南)设有代表处,
  在香港和上海设有设计中心。
  乐山-菲尼克斯半导体有限公司是安森美半导体在中国西部四川省设立的一家合资制造厂
  而安森美半导体亚太区总部则设在香港。
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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