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安森美发布全新6款N沟道MOSFET

(2014-5-26 17:27:57)  1243人次浏览
 
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  安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列,以达到业界更高能效的需求
  推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它们经过设计及优化,提供领先业界能效,优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET极适合用作服务器、网络设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件,或者用于配合负载点(POL)模块中的同步整流。这些器件提供包含及不包含集成一个肖特基二极管的不同版本,能帮助工程师提供更高能效。
    安森美半导体深知终端产品性能越来越强调高能效,故优化了新功率MOSFET的设计、材料及封装,以降低损耗。
  0.7毫欧(mΩ)的一流导通阻抗(RDSon)性能和3780皮法(pF)的低输入电容确保导电、开关及驱动器等损耗降至最低。
  安森美半导体还深思熟虑,确保这些MOSFET提供较现有器件更优的热性能和低封装阻抗及感抗。
    安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说:“将导电及开关损耗降至最低以优化总能效,是越来越多终端市场设计人员极希望可实现的目标。我们利用工艺、材料和封装专知和技术,成功将功率MOSFET的性能提升到新的水平,帮助我们客户达到他们严格的设计性能目标”。
    封装及价格
    NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF采用无铅SO8-FL封装,每1500片批量的单价分别为2.99、3.06、1.86和1.93美元;
  NTTFS4H05N及NTTFS4H07N采用无铅μ8-FL封装,每1500片批量的单价分别为0.86和0.67美元。
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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