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ST节能功率晶片系列提升能效、安全与可靠性

(2014-5-15 13:03:50)  1046人次浏览
 
     意法半导体(STNicroelectronics;ST)新型HB系列绝缘闸极双载子性电晶体(IGBT)拥有比竞争对手的高频产品低40%的关机能源(turn-off energy),同时可降低至30%导通损耗。
  HB系列利用意法半导体的沟槽型绝缘闸极双载子性电晶体制程,集极切断无曳尾(collector-current turn-off tail-less)电流极低,饱和电压(Vce(sat))为1.6V(典型值),
  因而最大幅度降低了开关和导通时的能耗。此外,这项技术具有良好的可控性,参数分布窗口十分紧密,因而可提高设计再用性,简化系统设计。
  意法半导体的HB系列IGBT可提升目标应用的能效,例如太阳能转换器、电磁炉、电焊机(welders)、不断电系统(UPS)、功率因子校正器(PFC)和高频功率转换器。
  650V的宽额定工作电压确保环境温度在-40℃时崩溃电压(breakdown voltage)至少600V,使其特别适用于寒冷地区的太阳能转换器。
  175℃的最大工作结温和宽安全工作区(SOA)提高了产品的可靠性,让目标应用使用更小的散热器。
  可选参数包括30A到80A(在100℃时)的最大额定电流、
  多种主流的功率封装和为谐振(resonant)
  或硬式开关电路(hard-switching circuits)最佳化的内建二极体的封装。
  相关阅读:ST-意法半导体→浏览下载
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  致力于中国功率器件优秀供应商:可控硅、场效应、肖特基 【2014年度主打产品目录选型→浏览下载
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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