| ST节能功率晶片系列提升能效、安全与可靠性 |
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| (2014-5-15 13:03:50) 3964人次浏览 |
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意法半导体（STNicroelectronics；ST）新型HB系列绝缘闸极双载子性电晶体（IGBT）拥有比竞争对手的高频产品低40%的关机能源（turn-off energy），同时可降低至30%导通损耗。
HB系列利用意法半导体的沟槽型绝缘闸极双载子性电晶体制程，集极切断无曳尾（collector-current turn-off tail-less）电流极低，饱和电压（Vce(sat)）为1.6V（典型值），
因而最大幅度降低了开关和导通时的能耗。此外，这项技术具有良好的可控性，参数分布窗口十分紧密，因而可提高设计再用性，简化系统设计。
意法半导体的HB系列IGBT可提升目标应用的能效，例如太阳能转换器、电磁炉、电焊机（welders）、不断电系统（UPS）、功率因子校正器（PFC）和高频功率转换器。
650V的宽额定工作电压确保环境温度在-40℃时崩溃电压（breakdown voltage）至少600V，使其特别适用于寒冷地区的太阳能转换器。
175℃的最大工作结温和宽安全工作区（SOA）提高了产品的可靠性，让目标应用使用更小的散热器。
可选参数包括30A到80A（在100℃时）的最大额定电流、
多种主流的功率封装和为谐振（resonant）
或硬式开关电路（hard-switching circuits）最佳化的内建二极体的封装。
相关阅读：ST-意法半导体→浏览下载
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