| 肖特基二极管HTRB失效分析探讨 |
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| (2014-4-14 12:33:36) 5819人次浏览 |
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肖特基势垒二极管（SBD）HTRB失效分析探讨
摘要：肖特基势垒二极管（SBD） HTRB失效分析探讨.SBD HTRB失效通常表现为反向击穿，但是其表现形式是场环外侧边缘击穿（机械损伤）、内侧击穿、电极区域局部击穿、势垒金属peeling、金属化层剥离、表面微缺陷、制程污染、ESD击穿等，故必须建立在对失效样品的Decap基础上方可获得解析结果。
问题：接到一份客户反馈，我司的45V/3A肖特基（Ni/Pt势垒）产品在做HTRB时，失效比例约为18%；HTRB条件：100度/24小时/32V。
SBD HTRB失效通常表现为反向击穿，但是其表现形式是场环外侧边缘击穿（机械损伤）、内侧击穿、电极区域局部击穿、势垒金属peeling、金属化层剥离、表面微缺陷、制程污染、ESD击穿等，故必须建立在对失效样品的Decap基础上方可获得解析结果。
SBD制品失效的主要原因来自芯片制造上的缺陷，封装过程中存在的不足通常是焊接profile不尽合理，例如温度偏高、焊接应力偏大等。
SBD芯片的整流特性是借助于金属-半导体接触具有势垒效应，但硅系SBD的特征参数中反向漏电流IR较大，其承受反向功率浪涌（雪崩能量）的耐量不足，如果芯片在制程中存在缺陷，则在HTRB、THB、HAST等高温耐久性试验中，IR和温度的叠加易发热奔（Thermal runaway）而失效。
Tj=Ta+Pd×Rja（Pd＝Vstress×I leakage）
热阻基本上差不多，你可以在手册上查到，或者，若有条件你可以测量到。Vsress一般不变，因此，主要还是受你的漏电Ileakage影响。
对Ni/Pt做势垒的肖特基，HTRB温度应该在125度以上才算正常了，如果在100度就失效，首先要排除Package带来的异常，对芯片而言，说明表面有漏电风险，当温度高时漏电会增大而烧穿管子。
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