| ST推出促进环境保护功率芯片 |
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| (2014-4-10 17:35:31) 1316人次浏览 |
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意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出一系列新的先进产品。
新产品让电源设计人员能够提高太阳能逆变器和电动车、企业运算（enterprise computing）和工业马达驱动器（industrial motor drives）等诸多应用的能效。
意法半导体率先研发出工作温度可高达到200℃的高压碳化硅（silicon carbide，SiC）功率MOSFET。
碳化硅固有属性使其比传统硅功率电晶体节省至少50%的能源，而且产品本身的尺寸更小且其崩溃电压（breakdown voltage）更高。
意法半导体推出可促进环境保护并拥有高温性能的功率晶片。
这项技术被视为持续改善系统能效、微型化和成本最佳化的一项重要开发。
电脑机房和资料中心居高不下的用电成本让能效成为许多IT管理高层首要关注的问题。
用碳化硅元件代替普通硅开关，有助于提高功率电源的能源利用率（Power Usage Effectiveness；PUE），PUE是衡量资料中心能效的指标。
根据电脑产业拯救气候行动组织（CSCI， Climate Savers Computing Initiative）的数据显示，到2015年，高能效网路系统设备可节省50亿美元的能源开支，减少3800万吨的CO2 排放量。
碳化硅MOSFET还能用于太阳能逆变器，代替传统的高压硅绝缘闸双极性电晶体（Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT）将太阳能电池的DC转换成AC并入电网，无需任何特殊的驱动电路。
此外，因为工作频率高于IGBT，碳化硅MOSFET可缩减电源装置的其它元件尺寸，从而降低电源成本，提高能效。
在电动车领域，碳化硅元件可大幅提高能效，降低汽车动力系统的尺寸。
作为美国能源部与汽车工业的合作组织，美国汽车动力系统电气电子技术研发小组（DRIVE Electrical & Electronics Technical Team）呼吁，到2020年，将汽车动力系统能耗降低大约二分之一，同时降低尺寸至少20%。
该小组的开发蓝图将宽能隙（wide bandgap）半导体材料（即碳化硅技术）列为提高功率转换效率的重点技术，并使该项技术能够在更高的工作温度下更安全可靠地工作。
与普通硅元件和竞争对手的碳化硅MOSFET相比，意法半导体的碳化硅元件耐温性能更高（200℃），从而有助于简化汽车冷却系统的设计。
意法半导体的新1200V碳化硅功率MOSFET SCT30N120的样品已上市，预计在2014年6月投入量产。
新产品采用意法半导体独有的HiP247封装，该封装外形尺寸与工业标准封装相同，特别针对耐高温性能进行了最佳化设计。
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