| ST“无拖尾电流”600VIGBT突破功率设计限制 |
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| (2013-12-17 17:24:59) 1569人次浏览 |
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意法半导体“无拖尾电流”600VIGBT突破功率设计限制
意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型（trench-gate field-stop）IGBT[1]具有平顺、无拖尾电流的关机特性，饱和电压更是低达1.8V，最大工作结温高达175℃，这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率，并简化散热设计和电磁干扰（EMI）[2]设计。
通过消除IGBT固有的关断拖尾电流特性，意法半导体的新器件提高了开关能效与最大开关频率。新产品的裸片非常薄，这有助于提高开关和散热性能。意法半导体独有的优化的沟栅式（trench-gate）场截止型（field-stop）工艺降低了热阻，最高结温高达175℃，同时实现了对饱和电压等参数的严格控制，允许多个IGBT安全并联，提高电流密度和通态能效。
全新的IGBT非常稳定，具有很高的Dv/dt耐压能力。与IGBT封装在一起的超高速软恢复（soft-recovery）二极管可最大限度降低导通能耗。针对成本更敏感的应用，意法半导体还推出了可无二极管的型号供选择。
意法半导体的20A至80A V系列IGBT现已投产，采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封装。
IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极晶体管）
EMI，Electromagnetic Interference（电磁干扰）
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