| 飞兆半导体推出1200V沟槽型场截止IGBT |
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| (2013-12-6 16:58:10) 1634人次浏览 |
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飞兆半导体的1200V沟槽型场截止IGBT提供更快速的开关性能和改进的可靠性
飞兆半导体日前推出一系列1200V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标，如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电焊机，此新型IGBT系列将帮助电源工程师在其设计中实现更好的效率和可靠性。
这种新型1200V场截止IGBT系列具有1.8V的VCE(SAT)，其远低于以前的快速开关NPTIGBT，可最大程度地降低导通损耗。这些新器件具有1200V快速开关IGBT市场中提供的最低VCE(SAT)额定值之一。开关损耗较低，EOFF值在30µJ/A以下。所有器件均包含为快速开关优化的相同封装的二极管。
“需要创新的新型功率电子技术帮助光伏逆变器生产商降低成本、提高效率并增强可靠性”。工业功率系统总监MHLee先生说。“我们的1200V沟槽型场截止IGBT系列可帮助客户提高其太阳能逆变器设计中的能效和可靠性，并帮助制造商满足政府法规和最终客户不断节能的需求”。
1200V场截止沟道IGBT系列还允许设计人员在比竞争解决方案更高的开关频率下操作器件，从而有助于减小电容的尺寸和成本以及电路中的电感组件。这样可实现具有较高功率密度、较小尺寸和较低物料成本的系统设计。
此IGBT系列100%经过在额定电流四倍的电流下箝位电感开关测试，以保证较大的安全工作区(SOA)。
这些产品采用具有20mm引脚长度的较小TO-247封装（与之前系列的TO264封装相比），并提供15A、25A和40A的额定电流。
特点与优势：
低饱和电压：VCE(SAT)=1.8V@额定集电极电流(Ic)
•高速开关：•低EOFF=6.6µJ/A宽SOA（100%电感负载开关测试；ILM=4倍Ic额定值）易于并联运行（正温度系数）Tj=175°C（最大结温）高输入阻抗，符合RoHS标准
飞兆半导体的沟槽型场截止IGBT提供业界领先的技术，可应对当今设计中遇到的能效和外形尺寸挑战。这些应用都是飞兆半导体节能型功率模拟IC、功率分立式器件和光电子器件解决方案的一部分，而这些解决方案可在功率敏感型应用中实现最大限度的节能。
报价:（订购1000个，美元）
FGH15T120SMD_F155-1200V/15A：$3.30
FGH25T120SMD_F155-1200V/25A：$4.65
FGH40T120SMD_F155-1200V/40A：$6.30
可供货期：按请求提供样品。
交货期：收到订单后8～12周内
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