| ST最新推出双极功率晶体管 媲美MOSFET的能效 |
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| (2013-10-16 11:03:29) 1483人次浏览 |
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意法半导体（ST）最新推出双极功率晶体管 媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装
意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器（DC-DC converters）转换解决方案。
3STL2540是一个-40V/-5A PNP结晶体管，在完全饱和状态时，最大压降是200mV，基极电流仅为10mA。
等效导通电阻仅为90mΩ，接近同等级超级逻辑电平MOSFET的性能。
3STL2540的核心技术是意法半导体的先进的双金属层平面基岛工艺，在0.2到10V的宽输出电压下，温度在-30°C到150°C范围内，连续高电流增益(consistently high current gain，hFE)至少保持在100，创下业内这类器件最低的导通损耗记录。
高热效率封装PowerFLAT™仅0.6mm高，封装面积为2mm×2mm，在最小的印刷电路板内实现高性能功率电路。
3STL2540现已量产。
【相关阅读：意法半导体、3STL2540详细参数下载】→浏览下载
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