| ST推出首款TO-247封装的650V汽车级MOSFET |
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| (2013-8-16 11:18:18) 1803人次浏览 |
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意法半导体推出业界首款采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET
意法半导体推出业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101汽车级MOSFET
STW78N65M5和STW62N65M5。在高压脉冲环境中，650V额定电压能够为目标应用带来更高的安全系数，有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性。
这两款器件导通电阻（RDS(ON)）极低，分别为0.032Ω 和0.049Ω，结合紧凑的TO-247封装，可提高系统能效和功率密度。
新产品的市场领先的性能归功于意法半导体的MDmesh™ V 超结（super-junction）技术。此项技术可生产单位硅面积导通电阻RDS(ON)极低的高压器件，使芯片的封装尺寸变得更小。
栅电荷（Qg）和输入电容也极低，因此，Qg×RDS（ON）品质因数（FOM，figure of meric）极其出色，开关性能和能效异常优异。此外，优异的抗雪崩（avalanche）性能可确保器件在持续高压运行环境中提高耐用性。
MDmesh V整合意法半导体专有的垂直式工艺和经过市场检验的PowerMESH™水平式架构，导通电阻较同级别的MDmesh™ II器件降低大约50%。
意法半导体的采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET现已量产。
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