| Diodes晶圆级肖特基二极管实现双倍功率密度 |
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| (2013-7-4 12:42:49) 1637人次浏览 |
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Diodes推出
首款采用晶圆级芯心尺寸封装的肖特基二极管
实现双倍功率密度
Diodes公司（Diodes Incorporated）
推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的
肖特基（Schottky）二极管
为智能手机及平板电脑的设计
提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。
新器件能够以同样的电路板占位面积，实现双倍功率密度。
全新30V及0.2A SDM0230CSP肖特基二极管
采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盘封装，热阻仅为261oC/W，
比DFN0603封装低约一半，有效把开关、反向阻断和整流电路的功耗减半。
SDM0230CSP的占位面积为0.18mm2，
比采用了行业标准的DFN1006及SOD923封装的肖特基二极管节省电路板面积达70%，
非常适合高密度的设计。此外，这个器件的离板厚度为0.3mm，
相对于其他二极管薄25%，有利于超薄便携式产品设计。
这款肖特基二极管的最大正向电压十分低，于0.2A正向电流时仅为0.5V，
加上在30V反向电压的情况下，漏电流一般低至1.5mA，能够把功耗减到最少，从而延长电池寿命。
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