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亚洲企业在功率半导体领域的实力迅速增强

(2013-6-9 11:38:39)  1584人次浏览
 
     “在功率半导体领域早晚也会被亚洲势力赶超”。
  日本某功率半导体技术人员感到了危机感。这是因为,预见到未来市场的增长,中国大陆、韩国以及台湾的企业和大学等加快了该领域的研究开发速度。1998年将功率IC部门出售给美国飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)的韩国三星电子于“大约两年前重新成立了功率半导体部门”(上述日本技术人员)。中国也通过政府补助金以及吸引在美国的中国技术人员回国等措施迅速提高了技术水平。                               (文章插图看大图→浏览下载
  2013年5月在日本石川县金泽市举行的功率半导体国际会议“ISPSD 2013”如实反映了亚洲企业的迅猛发展情况(见表1)。本届会议上有很多刚刚实现实用化或者即将实现实用化的成果发布,是一场预测未来功率半导体市场的重要会议。来自亚洲的论文投稿数和发表件数“从2~3年前开始不断增加”(ISPSD项目委员会)。 
  本届ISPSD 2013上,来自韩国和中国大陆的论文投稿数量均为20篇,仅次于首位的日本(34篇)和第二位的美国(24篇),位居第三。采纳率也近60%,与ISPSD的平均值为同等水平。台湾的投稿量也有16篇,不过采纳率比较低。 
  亚洲企业在采用SiC和GaN等新一代材料的功率元件研究方面也取得了成果。其中较多的是GaN功率元件。这是因为,中国大陆和韩国等的企业在白色LED用蓝色LED芯片方面拥有大量生产设备和丰富的生产经验。由于蓝色LED芯片采用GaN半导体,因此生产设备和生产经验还方便用于功率元件。 
  其中,三星的成果备受关注。其特点是,在口径8英寸(200mm)的硅基板上制作了GaN功率元件、实现了只有为栅极加载正电压才会导通的“常闭工作”。制造该元件使用的硅基板的口径一般为6英寸,扩大至8英寸有助于降低成本。 
  电源电路从安全性考虑必须实现常闭工作,但在硅基板上制作的GaN功率元件则难以实现。三星通过在栅极部附近设置p型GaN层,实现了常闭工作。 
  用途方面,“考虑用于白色家电等”(三星公司的演讲者)。《日经电子》
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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