| 漏电流小且导通电阻低的600V耐压超结MOSFET |
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| (2013-6-3 18:11:09) 1634人次浏览 |
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电装试制出漏电流小且导通电阻低的600V耐压超结MOSFET
电装通过改变制造工艺，试制出了漏电流小而且导通电阻低的、耐压600V的超结构造功率MOSFET，并在功率半导体领域的国际会议“ISPSD 2013”（2013年5月26～30日，日本电气学会主办）上发布了技术详情（演讲序号：LV～P3）。该MOSFET的漏电流减小到了改变制造工艺前的约1/1000，导通电阻在室温下为13.5mΩcm2，在150℃驱动温度下为28.3mΩcm2。电装的演讲者称，这一导通电阻值在相同耐压的超结MOSFET中“为业界最低水平”。芯片尺寸为5.8mm×5mm。
此次采用的制造方法是“Trench～filling方式”的一种，这种方式是在切出沟槽（沟道）后用外延层填充沟槽来实现超结构造的。以往的方法是形成n型层后再用“硬掩模”蚀刻，切出多个沟槽，使p型层在沟槽中外延生长来填充沟槽，然后研磨，再进行退火处理，由此制作超结MOSFET。据电装介绍，虽然研磨后进行退火处理可使结晶缺陷减少，漏电流减小，但会造成n型层与p型层的“掺杂分布”发生变化，导致导通电阻变大。
而此次则使用“光刻胶掩模”进行蚀刻，并在蚀刻后施以退火处理，研磨后不再进行退火处理。由此避免了导通电阻升高。
蚀刻后进行退火处理是为了减少蚀刻时切出的沟槽的壁面凹凸等。此外，还通过改进p型层的外延生长方法减少了结晶缺陷，抑制了漏电流。具体来说，使结晶缺陷从改变制造工艺前的2000个/mm2以上减少到了10个/mm2以下。《日经电子》
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