| IR氮化镓元件开始商用出货 |
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| (2013-5-22 10:15:38) 1589人次浏览 |
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国际整流器（International Rectifier，简称IR）宣布：
为一家消费性电子产品公司的家庭剧院系统，成功测试并量产供应采用其氮化镓（GaN）功率技术平台制造的元件。
IR总裁暨执行长Oleg Khaykin表示，采用IR旗下的GaN技术平台及IP产品组合之元件进入商用出货阶段，再次成功验证IR在功率半导体元件市场的地位，以及预示功率转换新时代的来临，这正好与公司旨在协助客户节省能源的重要愿景相辅相成。
IR热切期望，GaN技术对功率转换市场的影响力能够至少媲美IR在30年前所推出的功率HEXFET。
有关成就标志着IR在功率管理市场的策略性优势，藉以带来高资本效率的元件制造模式。
相比先进的硅技术，GaN技术平台能够为客户改进主要特定应用的性能指数（FOM）多达十倍。
这次IR迈向新的里程碑，彰显出该公司一直致力为客户提供顶尖的功率管理技术。
这款开创先河的GaN功率元件技术平台，是IR经过10年的时间，基于其专有硅上GaN磊晶技术进行开发及研究的成果。
该高生产量的150毫米（mm）硅上GaN磊晶和相关的元件制造程序，能够全面与IR具备成本效益的硅制造设施配合，为客户提供世界级的商业可行性GaN功率元件制造平台。
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