| AOS推出导通电阻仅16.5mΩ的150V功率MOSFET |
|
| (2013-5-14 17:51:50) 1534人次浏览 |
| |
AOS推出导通电阻仅16.5mΩ的150V功率MOSFET
Alpha and Omega Semiconductor（AOS）公司2013年4月25日发布了栅源电压为10V时，导通电阻仅为16.5mΩ（最大值）的50V耐压功率MOSFET“AON6250”。
这款产品为n通道产品，采用封装面积为5mm×6mm的8端子DFN（DFN5×6）封装。
该公司表示，“在采用DFN5×6封装的150V耐压产品中，AON6250的导通电阻为业界最低”。
新产品主要面向通信设备、消费类产品和工业设备上配备的升压型DC-DC转换器和同步整流器等。
新产品的最大连续漏电流为52A，最大脉冲漏电流为112A；栅源电压为6V时，导通电阻为33.5mΩ（最大值）；总栅极电荷为43nC（标称值）。
据介绍，新产品的优值（FOM，导通电阻与总栅极容量的乘积）在业界也是最出色的。输入容量为2388pF（标称值），输出容量为213pF（标称值）。栅极电阻为0.95Ω（标称值）。
体二极管的反向恢复时间为68ns（标称值），反向恢复容量为560nC（标称值）。
工作接合部温度范围为-55～+150℃。新产品已开始量产，1万个批量购买时的美国参考单价为1.18美元。
摘要：万国半导体（AOS）发布了旗下最新150V MOSFET器件： AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS （MOS）中压系列旗舰产品，为众多设备追求极致效率提供了解决方案。
日前，集设计研发一体的著名功率半导体及芯片供应商万国半导体（AOS）发布了旗下最新150V MOSFET器件：AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS （MOS）中压系列旗舰产品，为众多设备追求极致效率提供了解决方案。
AON6250适用于通信及工业电源DC/DC转换器原边开关、AC/DC及DC/DC转换器副边同步整流，太阳能微逆变器，以及通信系统中的负载点模块（POL）。
采用先进的AlphaMOS技术，AON6250实现了业界领先的低导通内阻和高速开关性能。该产品与上一代产品相比，内阻降低了57%；与市场上现有最先进的同类型150V器件相比，内阻降低了8% ，除此之外，AON6250的优值（RDS(ON)*COSS）也是市场上最好的，从而可以有效降低开关损耗。因此无论是轻载条件还是重载条件，效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封装，符合绿色环保产品相关规定，且电气性能方面100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试。继AON6250之后，万国半导体（AOS）将发布一系列150V MOSFET产品。
AOS新推150V MOSFET器件AON6250
“终端客户总是要求电源系统输出更高功率并且占用更小的空间，这让电源设计工程们面临严峻考验”，AOS高级产品经理Stephen表示，“实现其功率密度，需要器件具有极低的导通内阻以及良好的开关性能，AON6250正好可以满足工程师的需求”。
AON6250技术优势：
●150V N-channel MOSFETin a DFN5×6 package
●RDS（ON）<16.5 mOhms max at VGS=10V（业内最低内阻）
●COSS=213 pF typ
●Qg（10V）=30.5 nC typ
●业内最低RDS（ON）* COSS（优值，可以有效降低开关损耗）
●100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试
【相关阅读：AOS-万代半导体】→浏览下载
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
免责声明：文章摘自网络、本网站不承担其内容的真实性与准确性、仅供读者参考，并请自行核实相关内容
产品推广：可控硅-晶闸管→浏览下载 MOS-场效应管→浏览下载 2013年主打产品型号与参数选型→浏览下载
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
|
|
|
| |
|
 |
相关资讯 |
 |
|
|
|
|
最新资讯 |
|
|
热门资讯 |
|
|
资讯首页 >> 新品上市 >> 详细内容 
