| 飞兆推出四路MOSFET功率器件FDMQ86530L |
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| (2013-5-6 15:33:29) 1486人次浏览 |
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飞兆半导体推出四路MOSFET功率器件FDMQ86530L
飞兆针对有源整流桥应用中的散热提供全新四路MOSFET
（文章插图看大图→浏览下载）
高分辨率、紧凑有源整流桥应用（如网络摄像机）中的过热可能导致图像质量问题。
同样，热致噪声可能影响系统的图像传感器，也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量，占用电路板空间，让这些设计变得更复杂。
飞兆半导体（纽约证券交易所代码：FCS）的FDMQ86530L 60V四路MOSFET为设计人员提供了一体式封装，有助于克服这些严峻的设计挑战。
FDMQ86530L解决方案由四个60V N沟道组成，采用飞兆GreenBridge™技术，改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率，将功耗降低了10倍。
该器件采用热增强、节省空间的4.5×5.0mm MLP 12引脚封装，免去了散热需要，实现了紧凑设计，提高了12和24V AC应用中的功率转换效率。
规格：
• 最大RDS(ON)=17.5mΩ（VGS=10V，ID=8A）
• 最大RDS(ON)=23mΩ（VGS=6V，ID=7A）
• 最大RDS(ON)=25mΩ（VGS=4.5V，ID=6.5A）
封装和报价信息（订购1000个，美元）
FDMQ86530L产品采用4.5×5.0mm MLP 12引脚封装，价格为 1.38美元
FDMQ86530L产品是飞兆半导体全面的分立式MOSFET产品组合的一部分，再次体现了公司承诺：
即提供最具创新的封装技术，以目前最先进的系统实现最小尺寸、最大热性能和最高效率。
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