| 常见LED芯片的特点分析 |
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| (2013-4-20 15:03:12) 1745人次浏览 |
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一、MB芯片
定义：Metal Bonding（金属粘着）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。
特点：
1、采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。
2、通过金属层来接合（wafer bonding）磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力（导热系数相差3～4倍），更适应于高驱动电流领域。
4、底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
5、尺寸可加大、应用于High power 领域、eg：42mil MB
二、GB芯片
定义：Glue Bonding（粘着结合）芯片；该芯片属于UEC的专利产品
特点：
1、透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底、其出光功率是传统AS（Absorbable structure）芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
2、芯片四面发光、具有出色的Pattern
3、亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准（8.6mil）
4、双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
三、TS芯片
定义：Transparent Structure（透明衬底）芯片、该芯片属于HP 的专利产品。
特点：
1、芯片工艺制作复杂、远高于AS LED
2、信赖性卓越
3、透明的GaP衬底、不吸收光、亮度高
4、应用广泛
四、AS芯片
定义：Absorbable Structure（吸收衬底）芯片；
经过近四十年的发展努力、台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg：712SOL-VR，709SOL-VR，712SYM-VR，709SYM-VR 等
特点：
1、四元芯片、采用MOVPE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮。
2、信赖性优良
3、应用广泛
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