| 东芝新款光耦直接驱动IGBT或MOSFET |
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| (2013-1-14 18:39:27) 2033人次浏览 |
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东芝新款IC耦合 直接驱动IGBT或MOSFET
东芝公司（Toshiba Corporation）近日宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。
新产品TLP250H的最大传输延迟时间为500ns，光电耦合器间的传输延迟偏差为150ns，这样的性能可减少逆变电路的死区时间（dead time），提高效率。
新产品使用了寿命超长的新LED，可支持-40℃至125℃的工作温度。
此外，该耦合器可将最低工作电压降至10V（东芝此前型号的最低工作电压只可降至15V），进而有助于降低功耗。
该耦合器可应用于一系列产品中，包括高温环境中使用的工业设备，家用太阳能光伏发电系统，数码产品以及测量与控制仪器。
该产品的样品现已推出，并计划于2月份投入量产。
应用：IGBT/功率MOSFET门驱动器，功率调节器，通用逆变器，IH（感应加热）设备等等。
特性：
1、工作电压：VCC=10～30V
2、传输延迟时间：tpLH, tpHL=500ns（最大值）
3、传输延迟偏差：±150ns（最大值）
4、宽广的保证工作温度范围：Topr=-40℃～125℃
5、峰值输出电流：IOP=±2.5A（最大值）
6、低输入电流：IFLH=5mA（最大值）
7、隔离电压：BVS=5000Vrms（最小值）
8、共模瞬态抑制：CMR=±40kV/μs
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