| 飞兆半导体推出Dual Cool封装的MOSFET |
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| (2013-1-9 13:23:06) 2742人次浏览 |
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飞兆全新PowerTrench MOSFET专治设计难题
飞兆半导体60V PowerTrench® MOSFET器件满足设计人员对降低传导损耗和开关损耗的需求。DC-DC转换应用的设计人员正面临提升功率密度的同时节省电路板空间和降低热阻的挑战。
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）全新的中压PowerTrench MOSFET采用Dual Cool封装技术，非常适合解决这些设计难题。已扩展和改进了其采用Dual Cool封装的产品组合，这种封装属于业界标准引脚排列封装，带有顶侧冷却，适用的产品中包括40～100V中压产品系列。 看大图→浏览下载
硅技术的进步结合Dual Cool技术，可提供卓越的开关性能以及低结至环境热阻，其数值比标准5mm×6mm MLP塑封封装低四倍。
中压系列产品包括：40V FDMS8320LDC、60V FDMS86500DC、80V FDMS86300DC和100V FDMS86101DC。
这些器件属于同步整流MOSFET，适用于DC-DC转换器、通信电源次级端整流和高端服务器/工作站应用。
特色及优势：
FDMS8320LDC （40V）
●最大RDS（ON）＝1.1mΩ（当VGS＝10V，ID＝44A时）
●最大RDS（ON）＝1.5mΩ（当VGS＝4.5V，ID＝37A时）
FDMS86500DC （60V）
●最大RDS（ON）＝2.3mΩ（当VGS＝10V，ID＝29A时）
●最大RDS（ON）＝3.3mΩ（当VGS＝8V，ID＝24A时）
FDMS86300DC （80V）
●最大RDS（ON）＝3.1mΩ（当VGS＝10V，ID＝24A时）
●最大RDS（ON）＝4.0mΩ（当VGS＝8V，ID＝21A时）
●具有业内最低的RDS（ON），在额定电压相同的条件下，与竞争对手的解决方案相比该数值低35%左右
FDMS86101DC （100V）
●最大RDS（ON）＝7.5mΩ（当VGS＝10V，ID＝14.5A时）
●最大RDS（ON）＝12mΩ（当VGS＝6V，ID＝11.5A时）
封装和定价信息 （1000片起订，价格单位：美元）:
按请求提供样品。交货期：收到订单后8-12周内
该系列产品中的所有器件均采用PQFN 5x6 8L封装，定价为：
●FDMS8320LDC （40V）：$1.09
●FDMS86500DC （60V）：$1.16
●FDMS86300DC （80V）：$1.16
●FDMS86101DC （100V）：$1.09
采用Dual Cool封装的MOSFET属于飞兆半导体业界领先的MOSFET产品组合。空间受限型应用要求DC-DC电源的尺寸更小、电流更高，基于对这一需求的理解，飞兆半导体可量身定制独特的结合了功能、工艺和创新封装技术的解决方案，从而使您的电子设计与众不同。
飞兆半导体扩展PowerTrench MOSFET系列
中等电压MOSFET器件采用高性能硅片减低品质因数，提高同步整流应用的可靠性
提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外，这些开关电源（SMPS）设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案，以便最大限度地减小线路板空间，同时提高效率和降低功耗。有鉴于此，飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）扩展PowerTrench® MOSFET系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。
这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员，是结合低栅极电荷（QG）、低反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品，可以实现快速开关。这些器件备有40V、60V和80V额定电压型款，由于采用优化的软反向恢复体二极管，减少了缓冲器电路的功耗，与竞争解决方案相比，可将电压尖刺减少多达15%。
这些器件采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅极结构，从而达到较高的功率密度、较低的振铃和更好的轻载效率。通过使用这项技术，新器件获得了较低的品质因数（QG×RDS(ON)），同时降低驱动损耗来提高功率效率。
这一系列的首批器件包括采用Power56封装的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件，以及采用TO-220 3引脚封装的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件。
特性和优势
•较小的封装尺寸（Power56和TO-220-3引脚封装），具有最大的热性能/系统尺寸比
•较低的QG以降低栅极驱动损耗
•低QGD/QGS比，防止不必要的误导通，提高系统可靠性
•低动态寄生电容，减少高频应用的栅极驱动损耗
•100% UIL测试
•满足RoHS要求
新增的PowerTrench® MOSFET器件丰富了飞兆半导体中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrench技术产品系列的一部分，它能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求，在实现更高能效水平方面发挥重要的作用。
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