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功率半导体:应用转向新兴市场

(2013-1-4 21:43:39)  1397人次浏览
 
     据IMS Research数据,全球功率半导体市场2012年增长率为5.0%,达到320亿美元规模;预期2013年会恢复两位数字增长
  作为仅次于大规模集成电路的另一大分支,功率半导体运行于弱电控制与强电之间,对降低电路损耗、提高电源使用效率,发挥着重要作用。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切,功率半导体的应用领域已逐渐从传统的工业控制和4C领域,向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场迈进。关注功率器件行业的技术发展趋势,促进相关行业的发展至关重要。

  增长点来自新领域
  LED照明、电动汽车及新一代通信、云计算等新产业形成的新经济增长点。
  高效、节能、环保是未来电子产品发展的趋势,如何提高系统电源的效率是厂商们所关心的问题之一。随着国际环保意识的提高和对于绿色消费观念的深入,市场中将会出现越来越多的机遇。
  对此,安森美半导体电源市场全球销售及营销高级总监郑兆雄预测指出:“电子产业的发展趋势是所有设备都实现网络化、智能化并具更高能效。比如白色家电已转向采用高能效变速电机,可降低多达50%的能耗,预计变频器电源将越来越受到中国消费者欢迎。安森美半导体在无刷直流(BLDC)电机控制用智能功率模块(IPM)及电源方面的领先地位将帮助中国推动白色家电的节能进程”。
  英飞凌科技(中国)有限公司总裁兼执行董事赖群鑫表示:“2013年市场增长的主要驱动因素将来自市场创新、技术创新和产品创新,其中LED照明、电动汽车及新一代通信、云计算等新产业将形成新的经济增长点,如新能源车将继续积累力量,驱动系统从传统工业系统进步到真正的汽车级系统,动态平衡电池管理取代被动模式”。

  产品关注小型、可靠与散热性
  在功耗小的基础上,实现更高转换效率是功率半导体术开发主题。
  如何在保证功耗小的基础上,实现更高的能源转换效率是功率半导体技术开发的主题。为此,很多功率半导体企业近年来在产品的小型化、高可靠与散热能力上,下足了工夫。
  郑兆雄认为:“未来IC产品的创新和集成将围绕支持网络连接、提升智能程度及提高能效等领域展开;当然,减小尺寸及电路板占用空间,以配合造就轻薄时髦的产品,仍将是重要方向。这就要求采用创新的架构或技术,提高产品性能等级,增强能效,提升智能程度及减小尺寸。同样,创新的封装技术也将发挥重要作用。
  北京思旺电子技术有限公司总裁裴石燕表示,作为一家电源管理IC设计公司我们注意到一个需求趋势:客户对电源管理IC的精度要求越来越高,功耗要求越来越低,这就要求我们提供精度更高的电源管理IC。

  北京思旺电子总裁裴石燕
  精度要求越来越高功耗要求越来越低
  对于电源管理IC来说,发展趋势就是更低的功耗、更低的噪音、更高的精度。比如智能手机、平板电脑等市场将持续快速增长,屏幕尺寸将越来越大,这些情况将给电池带来更大的压力。结果就是电池的充电电流将持续增长,以便电池能快速充满。我们已经储备了一些能够提供大电流充电的IC技术,这些芯片有精确的温度传感器,以便给大容量电池提供更快速的充电和更安全的充电设备。作为一家电源管理IC设计公司,我们注意到一个需求趋势:精度要求越来越高,功耗要求越来越低。这就要求我们提供精度更高的电源管理IC。IC产业已经有60多年的历史,在这60多年中,已经积累了应对产业上升与下降的种种经验。总的来说,IC产业还将继续成长。

  富士通半导体市场总监王钰
  LED照明、电机控制市场看好
  2012年全球经济环境较为恶劣,被全球称为潜力发展区的亚太地区,尤其是中国大陆,经济增长率也呈现下调趋势。半导体行业发展备受冲击,不过高端半导体市场仍保持原有的较好发展势头。预计2013年全球经济状况会有所改善,对半导体的需求也会随之增长,市场总体将好于2012年。
  富士通将根据市场需求,加大投资,研发符合市场需求的产品,比如LED照明方面,2012年年底已陆续推出了可支持PWM调光的LED驱动芯片MB39C602系列,2013年陆续会有新品推出;在新能源汽车方面,将设计开发更加高效的电池管理系统,以及可预测和提高电池使用寿命的产品。在电机和电控的核心研发上,将提高开发效率,提升安全规格。

  安森美电源市场高级总监郑兆雄
  功率器件助力网络化小型化
  未来,电子产业的发展趋势是所有设备都将实现网络化、智能化和小型化。为了提升用户体验,半导体供应商面临更大挑战,须采用更先进的制造或封装技术,帮助系统厂商减小尺寸、提高集成度。
  安森美半导体针对此趋势,新推出优化的超小超薄的小信号MOSFET:NTNS3193NZ、NTNS3A91PZ,可用于平板电脑、智能手机、GPS系统等空间受限的便携式消费电子产品中。NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ被认为是业界最紧凑的小信号MOSFET,它们采用的0.62mm×0.62 mm×0.4mm XLLGA3封装,总表面封装面积仅为0.38mm2,是用于日渐缩小的便携产品中的极佳方案,可替代采用大得多封装面积的竞争产品。(内容来源:中国电子报)
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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