| 联电SDDI新制程获采用 |
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| (2012-12-21 20:50:28) 1632人次浏览 |
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12月18日联电宣布，55纳米的小尺寸屏幕驱动芯片（SDDI）制程已获得客户顺利试产（tape-out）采用，主攻智能手机等手持式装置市场。
联电上个月才对外宣布推出新一代80纳米小尺寸SDDI制程，昨天又再度推进至55纳米，有助推升营运。联电表示，目前SDDI芯片出货已逾3亿颗，而55纳米SDDI制程，是再次展现公司在SDDI晶圆专工领域的领先地位。
联电表示，55纳米比起80纳米，更能赋予客户尖端智能型手机Full-HD画质。昨日联电收在11.65元，上涨0.1元。
联电12寸特殊技术开发处许尧凯资深处长表示，旗下55纳米SDDI制程，加上最近刚推出的新一代80纳米技术，以及已量产的0.13微米制程，不仅充分表现了联电SDDI技术实力，也代表联电提供完整的屏幕驱动制程技术方案，更提供客户设计产品时的弹性。
联电根据应用产品的不同定位，规划其智能型手机产品的显示方案，包含Full-HD、HD720/WXGA、qHD及WVGA，可完全满足屏幕尺寸3.5寸至5寸以上之低、中、高阶智能型手机的显示需求。
此55纳米SDDI制程特色在于具备了尺寸极小，仅有0.4平方微米的SRAM储存单元，同时在耗电、效能、芯片尺寸之间也提供完美的平衡，适合使用于讲究低耗电与体积轻巧的高端Full-HD画质智能型手机。（来源：经济日报）
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