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联电SDDI新制程获采用

(2012-12-21 20:50:28)  1584人次浏览
 
     12月18日联电宣布,55纳米的小尺寸屏幕驱动芯片(SDDI)制程已获得客户顺利试产(tape-out)采用,主攻智能手机等手持式装置市场。
  联电上个月才对外宣布推出新一代80纳米小尺寸SDDI制程,昨天又再度推进至55纳米,有助推升营运。联电表示,目前SDDI芯片出货已逾3亿颗,而55纳米SDDI制程,是再次展现公司在SDDI晶圆专工领域的领先地位。
  联电表示,55纳米比起80纳米,更能赋予客户尖端智能型手机Full-HD画质。昨日联电收在11.65元,上涨0.1元。
  联电12寸特殊技术开发处许尧凯资深处长表示,旗下55纳米SDDI制程,加上最近刚推出的新一代80纳米技术,以及已量产的0.13微米制程,不仅充分表现了联电SDDI技术实力,也代表联电提供完整的屏幕驱动制程技术方案,更提供客户设计产品时的弹性。
  联电根据应用产品的不同定位,规划其智能型手机产品的显示方案,包含Full-HD、HD720/WXGA、qHD及WVGA,可完全满足屏幕尺寸3.5寸至5寸以上之低、中、高阶智能型手机的显示需求。
  此55纳米SDDI制程特色在于具备了尺寸极小,仅有0.4平方微米的SRAM储存单元,同时在耗电、效能、芯片尺寸之间也提供完美的平衡,适合使用于讲究低耗电与体积轻巧的高端Full-HD画质智能型手机。(来源:经济日报)
  相关阅读:UMC-台湾联电→浏览下载
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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