| 电子元器件由静电放电引发的失效模式 |
|
| (2012-12-19 9:06:22) 2561人次浏览 |
| |
电子元器件由静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式。
突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全丧失其规定的功能，主要表现为开路、短路或参数严重漂移，具体模式如：
双极型器件的射～基间短路，场效应器件的栅～源间或栅～漏间短路或开路，集成电路的金属化互连或键合引线的熔断，多晶硅电阻开路，MOS电容介质击穿短路等。
潜在性失效是指静电放电能量较低，仅在元器件内部造成轻微损伤，放电后器件电参数仍然合格或略有变化，但器件的抗过电应力能力已经明显削弱，或者使用寿命已明显缩短，再受到工作应力或经过一段时间工作后将进一步退化，直至造成彻底失效。
在使用环境中出现的静电放电失效大多数为潜在失效。
据统计，在由静电放电造成的使用失效中，潜在性失效约占90%，而突发性失效仅占10%。
而且，潜在性失效比突发性失效具有更大的危险性，这一方面是因为潜在失效难以检测、而器件在制造和装配过程中受到的潜在静电损伤会影响它装入整机后的使用寿命；
另一方面，静电损伤具有积累性，即使一次静电放电未能使器件失效，多次静电损伤累积起来最终必然使之完全失效。
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
免责声明：文章摘自网络、本网站不承担其内容的真实性与准确性、仅供读者参考，并请自行核实相关内容
2012年12月产品推广：可控硅-晶闸管→浏览下载 MOS-场效应管→浏览下载 肖特基整流二极管→浏览下载
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
|
|
|
|
|
| |
|
 |
相关资讯 |
 |
|
|
|
|
最新资讯 |
|
|
热门资讯 |
|
|
资讯首页 >> 技术资讯 >> 详细内容 
