| 罗姆推出全新SiC制MOSFET功率模块 |
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| (2012-12-17 13:38:35) 1369人次浏览 |
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罗姆开发出采用了配备体二极管的SiC制MOSFET功率模块。
该MOSFET具有不需要外置二极管的优点。
目前该模块已开始样品供货，将从2012年12月开始量产。
额定电压为1200V，额定电流为180A。
此次，罗姆通过解明向体二极管通电会导致缺陷扩大的原理，并采取措施抑制这种现象发生，使得体二极管得以实用。
据该公司介绍，新模块即使通 电1000小时以上，导通电阻也不会增大。
而普通体二极管产品通电超过20小时，导通电阻就会大幅增加。（日经在线）
罗姆等试制出漏电流减小90%、耐压增至1.5倍的SiC制MOSFET
罗姆与大阪大学研究生院工学研究科助教细井卓治、京都大学研究生院工学研究科教授木本恒畅及东电电子合作试制出了新的SiC制MOSFET。
特点是将透过栅极绝缘膜的漏电流减小了90%，并将绝缘耐压提高到了原来的1.5倍。
此次是通过采用介电常数高的铝氧化物作为栅极绝缘膜，减小了漏电流并提高了耐压的。原来采用的是SiO2。
详细技术已在“International Electron Device Meeting（IEDM） 2012”上公开发表。（日经电子）
相关阅读：ROHM-罗姆半导体→浏览下载
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