| 美高森美最新推出1200V碳化硅肖特基二极管 |
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| (2012-11-22 12:28:51) 1588人次浏览 |
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Microsemi新型SiC肖特基二极管提升电气功率转换效率
美高森美公司（Microsemi Corporation） 推出采用碳化硅（SiC）材料和技术的全新1200V 肖特基二极管系列，新的二极管产品瞄准广泛的工业应用，包括太阳能逆变器、电焊机、等离子切割机、快速车辆充电、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高压应用。
与硅（Si）材料相比，碳化硅（SiC）材料具有多项优势，包括较高的击穿场强度和更好的导热性，这些特性可让设计人员创建具有更好性能特性的器件，包括零反向恢复、不受温度影响特性、较高的电压能力，以及较高的工作温度，从而达到新的性能、效率和可靠性水平。除了SiC二极管器件固有的优势之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸贴片，背部可焊接的D3封装SiC肖特基二极管的制造商，允许设计人员达到更高的功率密度和较低的制造成本。
美高森美公司功率产品部总经理Russell Crecraft表示：我们利用超过25年的功率半导体器件设计和制造专有技术，推出具有无与伦比的性能、可靠性和总体质量水平的SiC二极管系列。下一代功率转换系统需要更高的功率密度、更高的工作频率和更高的效率，而美高森美新的碳化硅器件能够帮助系统设计人员满足这些需求。
全新1200V SiC 肖特基二极管产品阵容包括：
APT10SCD120BCT（1200V、10A、共阴极TO-247封装）
APT20SCD120B（1200V、20A、TO-247封装）
APT30SCD120B（1200V、30A、TO-247封装）
APT20SCD120S（1200V、20A、D3 封装）
APT30SCD120S（1200V、30A、D3 封装）
美高森美新型SiC 肖特基二极管现已量产。 相关阅读：美高森美半导体公司→浏览下载
文章连接：【认识与了解碳化硅】→浏览下载 【碳化硅、氮化镓将成称为第三代半导体材料】→浏览下载
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