| IR推出第八代1200V的IGBT技术平台 |
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| (2012-11-18 10:50:23) 1975人次浏览 |
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IR 推出第八代 1200V IGBT技术平台
提供适合工业应用的基准效率和耐用性
全球功率半导体和管理方案领导厂商————
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）
推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。
全新第八代（Gen8）1200V IGBT技术平台
采用IR的新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。
全新的Gen8设计可让高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台，彰显出IR在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频，以期更有效地使用电能及绿化环境”。
新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄，在高电流功率模块内并联起多个IGBT之时，可提供出色的电流分配。 看大图→浏览下载
薄晶圆技术则改善了热电阻和达到175°C的最高结温。
IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越技术。
该IGBT平台凭借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能，使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。
产品规格(见图)，欲了解更多信息，请浏览IR网站→浏览下载
产品供应：IR Gen8 1200V IGBT 平台
样品已开始提供给各大原始设备制造商（OEM）及原始设计制造商（ODM）合作伙伴。
相关阅读：美国IR-国际整流器公司→浏览下载
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