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二极管的结构

(2006-7-30 10:17:24)  4323人次浏览
 
    光敏二极管结构
  在PN结内部有两种运动:
 (a)扩散:由于浓度差而引起的从高浓度到低浓度的运动。由于多子浓度高,所以扩散是多子的运动。
 (b)漂移:载流子在电场力作用下而产生的定向运动。少子在内电场的作用下而产生的运动是漂移。 
  多子的扩散运动是空间电荷区加宽,使内电场加强,使少子的漂移运动加强。然而少子漂移运动加强又使空间电荷区边窄;当两种运动达到动态平衡时,空间点化区的宽度也就稳定下来了。
PN结的单向导电性
 (1)二极管的伏-安特性和主要参数 
 (a)外加正向电压
当PN结的P区接电源正极,N区接电源负极时称为外加正向电压,简称正偏。扩散运动而形成的电流大大超过漂移运动而产生的电流,形成正向电流IF,称PN结处于导通状态(b)外加反向电压
当PN结的P区接电源负极,N区接电源正极时,称为外加反向电压,简称反偏。漂移运动而形成的电流超过了扩散运动形成的电流,形成反向电流IR,由于漂移电流是少子运动产生的,所以室温下反向电流很小。通常称PN结处于截止状态。
  (c)PN结伏安特性
  ① 导通电压(开启电压)
  当外加电压较小时,PN结处于截止状态
  当外加电压大于导通电压时,正向电流i随u呈指数关系增加。
  锗PN结 UON≥0.1V
  硅PN结 UON≥0.5
 ② 击穿电压(U(RB))
  当加反向电压时,PN结处于截止状态,IR很少,可当反向电压大于击穿电压U(RB)时IR急剧增加,可应用这个特性制成稳压管。
 (2) 二极管的符号及其主要参数
 (a) 符号:
 (b) 参数:
 ① 最大正向电流IF
  指允许流过的最大电流;在正常工作状态下应使ID  ② 反向击穿电压URB
  二极管反向被击穿时,对其施加的反向电压值。
 ③ 反向电流IR
  在温室下测得的凡响电流值约为几十纳安。受温度影响很大。
 ④ 最高工作频率FT向恢复时间tre
  是工作频率的上限值,当电路的工作频率超过FT时,二极管失去单向导电性。反向恢复时间tre二极管在开关运用时,由导通状态变为截止状态所经历的时间通常为n秒。开启时间小于凡响恢复时间。
 ⑤ 温度影响
  由于二极管内含有良种接瘤子,特别是少子的漂移运动受温度的影响很大。当温度升高,IR急剧增加。结电压也受温度影响。
 (2)二极管极性判别
  将万用表拨在R*100或R*1k电阻挡上,两支表笔分别接触二极管的两个电极测其阻值,记下此时的阻值。两支表笔调换,再测一次阻值。两次测量中,阻值小的那一次,测出的是二极管的正向电阻,黑表笔接触的是二极管的正极,红表笔接触的是二极管的负极.  
来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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