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日本贵弥功在中国成立电解电容器的设计开发基地

(2012-7-5 9:46:22)  1823人次浏览
 
     日本贵弥功在江苏省无锡市设立了开发基地“贵弥功电子研发(无锡)有限公司”,该研发基地设在该公司的当地法人“贵弥功(无锡)有限公司”内,预定于2012年秋季开展业务。该研发基地将与日本国内的基础研究中心、产品开发中心、生产技术开发中心及美国的电容器材料基础研究基地等共同构成全球研发体制。 
  日本贵弥功把强化以新兴市场国家为中心的海外业务作为2011年度至2013年度三年计划的重点,尤其是中国市场的重要性越来越高,近年占到该公司销售额的大约1/2。为了在中国这一最大市场上扩大销售,该公司一直在推进设计开发、材料采购、生产及销售的本地化。作为其中的一环,为迅速开发切实满足当地需求的产品,于2011年11月成立了“中国技术中心成立准备室”,开始为在中国设立开发基地做准备。 
  此次成立的开发基地的目标是开发适合中国市场的产品。首先将着手设计开发用于各种电子设备的电源及逆变器的铝电解电容器,将来还将着眼于铝电解电容器以外的产品群,不断扩大业务范围。该研发基地的注册资本为300万美元,由日本贵弥功专务董事CTO内秀则担任法人代表。 
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 2012年7月产品推广:可控硅-晶闸管→浏览下载 MOS-场效应管→浏览下载 肖特基整流二极管→浏览下载
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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