| 工信部重点支持新型平板显示领域项目录 |
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| (2014-5-9 14:33:52) 1241人次浏览 |
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为推动我国新型平板显示产业快速发展，落实“宽带中国”战略，国家发展改革委、工业和信息化部拟组织实施新型平板显示和宽带网络设备研发及产业化专项。其中，新型平板显示领域重点支持项目如下：
1、高世代（6代及以上）薄膜晶体管液晶显示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研发和产业化要求：驱动电压≤7V，响应时间≤15ms，电阻率≥1×1013Ω?cm，单体纯度>99.90%，粘度<20mPa?s；申报单位已实现年销售量大于1吨。
2、有源有机发光显示（AMOLED）用高精度金属因钢蒸镀掩膜板研发和产业化要求：尺寸≥650mm×750mm，最小开口尺寸25μm，开口精度≤±3μm，开口间距≤50μm，定位精度≤±5μm；申报单位已实现年销售量大于80套。
3、AMOLED用高性能、长寿命有机蓝色电致发光、电子传输和空穴注入/传输材料研发和产业化要求：达产后形成年产发光材料25公斤、其他材料500公斤的生产能力，其中：蓝光材料色度坐标达到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/m2亮度下，效率>6cd/A；空穴传输材料迁移率>8.0×10-4cm2/Vs；电子传输/空穴注入材料采用飞行时间法测试，迁移率>5.0×10-3cm2/Vs；玻璃化转变温度Tg≥130℃；驱动电压低于4V情况下，对应器件特性指标LT95寿命要求红、绿（>5000cd/m2）≥3000小时，蓝（>500cd/ m2）≥1000小时；实验片发光区面积3mm×3mm。
4、高分辨率面板驱动IC研发和产业化
要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上电视面板、300PPI（每英寸像素数目）及以上手机面板，并可根据面板厂商要求提供不同接口技术。
5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD设备研发和产业化要求：可制备非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二铝等薄膜材料，成膜非均匀度≤±3%，基板处理能力≥20片/小时。
6、高世代TFT-LCD及AMOLED用溅射镀膜设备研发和产业化要求：靶材利用率>75%，薄膜非均匀性<5%，可制备ITO（氧化铟锡）、IGZO（氧化铟镓锌）、铝、钼等薄膜材料。
7、AMOLED蒸镀设备研发及产业化
要求：最大可镀膜基板尺寸650mm×750mm，OLED（发光显示）材料利用率≥25%，OLED镀膜均匀度≤±3%，对位精度2μm，生产节拍120秒。
申报要求
1、项目主管部门应根据《中央预算内投资补助和贴息项目管理办法》的有关规定，按照专项支持重点要求，结合本单位、本地区实际情况，认真做好项目组织和备案工作，指导项目建设单位编写项目资金申请报告，并协调落实项目建设资金、节能、环保、土地、规划等相关建设条件。项目主管部门应对资金申请报告及相关附件进行认真核实，并负责对其真实性予以确认。
2、项目建设单位应为企业法人，一个单位限报一个项目。项目建设单位应实事求是制定建设方案，严格控制征地、新增建筑面积和投资规模。项目资金申请报告的具体编写要求及所需附件内容参见附件1。
3、申报新型平板显示领域的材料厂商需提供与面板企业签署的合作协议；设备厂商需提供与面板企业签署的联合开发协议。其中，申报溅射设备的厂商需提供与配套靶材企业签署的合作协议。
4、申报宽带网络设备领域的单位，应结合自身基础条件，在支持重点方向中自行选择两类以上设备申报。
5、请各项目主管部门于2014年5月16日前，将项目资金申请报告和有关附件、项目简介（不超过3000字）、汇总表（见附件2）等纸质文件一式2份及电子版，分别报送国家发展改革委(高技术司)、工业和信息化部(规划司)
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