| Avogy获170万美元研发氮化镓功率晶体管 |
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| (2013-11-15 12:32:31) 1258人次浏览 |
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美国Avogy公司获170万美元氮化镓功率晶体管研发资金
［据美国化合物半导体网站2013年11月10日报道］
美国能源部能源高级研究计划局（ARPA-E）与美国Avogy公司签署价值170万美元的垂直氮化镓（GaN）晶体管研发合同，以提高能效，减少尺寸、重量和成本。
ARPA-E已认可Avogy公司创新的功率半导体技术，并已为Avogy公司提供数百万美元资金，支持高效率低成本GaN晶体管的研发。
Avogy公司晶体管的目标是取代能源生产和消费基础设施中的传统硅晶体管。
他们将使系统制造商可以显著减小系统功耗、尺寸、重量和成本，并同时提升数据中心服务器、开关和路由器、太阳能和风能逆变器、电动和混合动力汽车，以及任何其他电源转换和发电设备的可靠性。
氮化镓是做功率电子器件的理想半导体材料，因为它可承载非常高的电压、可工作于高频和高温环境。GaN的每一个重要性能都远优于硅。
Avogy公司的垂直氮化镓晶体管以高品质GaN衬底为基础，并充分挖掘材料的内在性能，不像其他GaN功率器件是以非GaN材料为衬底，并带来性能和可靠性的降低。
Avogy公司通过“控制高效系统的宽禁带半导体低成本晶体管战略”（SWITCHES）项目被授予170万美元，用于研发可工作在高功率但比最好硅晶体管工作幅度小一个量级的垂直GaN晶体管。
该公司也被ARPA-E另外资助的Kyma技术公司选为子合同商，该公司研发高质量GaN衬底的低成本制造技术。Avogy公司将在Kyma公司的衬底上设计GaN晶体管。
而此外，Avogy公司还与Soraa公司建立了合作伙伴关系。
Soraa公司主要研究GaN发光二级管（LED）用GaN材料，之前收到ARPA-E授出的470万美元发展氨热体GaN衬底。
Avogy目前正在为功率电子器件应用评估Soraa公司新的衬底。
ARPA-E项目总监蒂姆·海德尔说：“我们相信，Avogy公司的垂直GaN晶体管将在未来三年内与当前的技术具有相同的成本，但带来显著的性能提升。
如果成功了，Avogy公司的晶体管将支持更小、更可靠、更节能和更廉价的高功率转换器、电机驱动器，光伏发电和风力发电逆变器”。
Avogy公司的首席技术官和首席科学家克孜勒亚尔勒补充道：“我们很高兴ARPA-E已决定资助我们的项目。ARPA-E的肯定和资金支持对于我们成功开发和应用我们的变革性技术至关重要”。
Avogy公司的首席执行官拉马纳坦说：“Avogy公司享有专利的垂直GaN晶体管架构和制造技术帮助我们超越其他在侧向GaN晶体管展开好几年研究的公司。
从美国能源部得到的支持将帮助我们加快高效率产品的商品化，拓展美国在最佳能源技术领域的世界领先地位”。
Avogy公司成立于2010年，位于美国加利福尼亚州圣何塞市。
Avogy公司具有领先的垂直功率器件技术，该器件以体GaN衬底上形成的同质外延GaN层为基础。
该公司的TrueGaN功率器件与硅和其他宽禁带功率半导体器件相比具有优异的性能。
内容来源：工业和信息化部电子科学技术情报研究所 张倩
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